安森美半導體增強CCD影像感測器的近紅外線性能

2016 年 7月12日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，採用提升CCD影像感測器近紅外線靈敏度的技術，提高了嚴格要求的工業應用的成像性能。

800萬像素(MP) KAI -08052影像感測器是安森美半導體CCD產品陣容中首款採用這項新技術的元件，提供的近紅外線(NIR)波長靈敏度達到公司標準的Interline Transfer CCD 像素設計的兩倍。提升的靈敏度對以下應用非常關鍵：如科學和醫療成像等應用中在NIR波長中樣本發光或發出螢光，或是在機器視覺和智慧交通系統(ITS)中，NIR照明用於檢查目標或鎖定特定車輛的車牌，通常能達到更好的效果。

KAI-08052採用的新的CCD像素設計延伸了矽板中的電子捕獲區，以更佳地捕獲長波長光子所產生的電子。視乎研究的特定波長，更深的像素井提高檢測的NIR波長達一倍。由於井結構也使光電二極體彼此隔離，提高了NIR靈敏度而不減少影像清晰度(調變傳遞函數，MTF)。

安森美半導體影像感測器事業部工業和安防分部的副總裁兼總經理Herb Erhardt說：「攝影機製造商和終端客戶不斷證實這些市場需要基於CCD和CMOS技術的產品，所以我們在這兩種技術上的開發與提升很重要。KAI-08052比起我們的標準像素設計，在NIR靈敏度有顯著提升，我們將把這項技術應用在未來更多產品。」

KAI-08052採用了符合「限制使用有害物質指令」(RoHS)的CPGA-67封裝，提供黑白單色、拜耳色(Bayer Color)和Sparse Color配置，與現有的KAI-08051影像感測器及全系列的5.5 µm和7.4 µm CCD影像感測器的引腳完全相容，這樣一來攝影機製造商能快速採用新的元件。