2011年6月7日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)已在新加坡開設新的全球發貨中心(Global Distribution Center，簡稱GDC)。這耗資350萬美元的新的先進設施是由安森美半導體與DHL合作建設的。

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2011年5月26日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出一批新的共模濾波器(CMF)，這些元件整合了靜電放電(ESD)保護，用於抑制雜訊及提供高訊號完整性。新元件包括EMI2121、EMI4182及EMI4183，非常適合於應用在智慧手機、多媒體平板電腦、無線連接底座(dongle)、數位攝影機及機上盒和DVD播放機。

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2011年5月5日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出用於精密測量及監測的混合訊號微控制器(MCU新系列)的首款產品Q32M210。高整合度Q32M210設計用於可攜式感測應用，基於ARM® Cortex™-M3處理器構建而成，獨特地結合了高精度性能、可預測工作及優異的電源能效。

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2011年5月4日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)進一步擴充其矽晶體振盪器(XO)時脈模組產品陣容。NBX系列新增的6款元件具有雙電壓能力和領先同類的總頻率穩定度(低至±20 ppm)，提供高性價比、高精度的參考時脈方案。這些新元件符合路由器、交換器、伺服器及基地台等應用中最新2.5 V/3.3 V低壓正射極耦合邏輯(LVPECL)設計的時脈產生要求。

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2011年4月1日 – 領先的邏輯非揮發性記憶體(LNVM)一次性可程式設計(OTP)記憶體智財(IP)核心開發商Sidense與應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣佈，Sidence已將其180奈米(nm) OTP記憶體SLP產品線移配到安森美半導體的180 nm數位及混合訊號技術平臺ONC18。

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2011年3月17日 – 安森美半導體公司(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣佈上星期五(3月11日)日本發生的芮氏9.0級地震對公司在日本營運的影響。公司已經確認，沒有三洋半導體分部或其他安森美半導體在日本雇員因地震或海嘯在工作現場受傷。

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2011年3月17日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出3種新系列的寬輸入電壓、低壓差(LDO)線性穩壓器。公司廣受歡迎的NCP58x系列亦增加新元件，進一步增強了公司在此領域的強勁實力。

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2010年3月9日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充了應用於家用電子產品的交流-直流(AC-DC)電源方案陣容，推出NCP1234和NCP1236系列固定頻率脈寬調變(PWM)電流模式控制器。這些方案針對膝上型/筆記型電腦、LCD顯示器、印表機及家用消費性電子產品的AC-DC適配器應用。

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2011年3月2日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣佈Atsushi Abe(阿部敦)已加入公司董事會。安森美半導體董事會推選Abe先生擔當此職，並任命他為公司新成立的整合督導委員會委員。

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2011年3月1日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)已完成向賽普拉斯半導體以全現金交易收購CMOS圖像感測器業務部(ISBU)，金額為約3,140萬美元，以購買協定為準作調整。此收購價格約為該業務部年銷售額的1倍。

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