台灣— 5月26日— Diodes公司推出採用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET系列。該封裝產品僅佔用0.6 平方毫米的印刷電路板面積，較同類型SOT723封裝零件節省一半以上空間，其節點到環境熱阻 (junction to ambient thermal resistance; Rthja) 為256ºC/W，在持續運作情況下功耗為1.3W，而同類產品的功耗則多出一倍。

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台灣— 5月12日— Diodes公司近日推出了旗下有助於節省空間的DFN3020封裝分立式產品系列中的首批MOSFET。這3款雙重MOSFET組合包含了20V和30V N通道及30V互補性元件。這些雙重DFN3020 MOSFET的電學性能與較大型的SOT23封裝零件一樣，而且一顆新元件就可以取代2顆SOT23封裝的MOSFET，因而能節省70%的電路板空間。

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全球領先的微控制器、類比元件暨快閃技術供應商Microchip Technology宣佈，擴充MOSFET驅動器系列產品。Microchip基於MCP14E3/4/5 4.5A MOSFET低端(low-side)驅動器的成功基礎，推出新款低端MCP14E6/7/8 2A和MCP14E9/10/11 3A驅動器。新款低成本元件系列的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓範圍寬達4.5V至18V。全新元件具備致能輸入控制接腳(enable input pin)，提供關閉模式以節省功耗。採用8接腳SOIC和8接腳6mm × 5mm DFN封裝。該元件是伺服器、個人電腦和筆記型電腦等消費性電子所採用電源的理想選擇。

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2011年2月10日 – 應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出6款新的通過AEC-Q101認證邏輯電平單通道功率MOSFET，用於汽車模組，採用小型扁平引腳(FL)封裝。

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Diodes 公司擴展其MOSFET產品系列，推出特別為網路語音 (VoIP) 通訊設備而設計的新型60V N通道產品。新型 Diodes DMN60xx 系列的設計針對處理產生端線和環線換行線路饋電 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脈衝電流，以及抵擋在電源開關時所造成的雪崩能量(Avalanche energy)。這個元件能夠符合變壓器的用戶線路介面電路 (SLIC) DC/DC 轉換器對基本切換功能的嚴格要求。

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2010年4月9日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充N通道功率MOSFET元件陣容，新推出帶整合蕭特基二極體的30 V產品。

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2010年2月22日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充公司市場領先的功率開關產品陣容，推出包括500伏特(V)和600 V元件的高壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)系列。這些新方案的設計適合功率因數校正(PFC)和脈衝寬調變(PWM)段等高壓、節能應用的強固要求，在這些應用中，加快導通時間及降低動態功率損耗至關重要。具體而言，這些方案非常適合用於遊戲機、印表機和筆記型電腦電源適配器，及應用於ATX電源、液晶顯示器(LCD)面板電源和工業照明鎮流器。

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2009年12月15日 – 首要高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度整合保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。此系列元件通過了AEC-Q100標準認證，非常適合嚴格的汽車及工業工作環境中的開關應用。

NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些元件全都擁有完整的自保護功能，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用於過壓保護(OVP)的整合漏極至柵極鉗位。

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Diodes公司近日推出了兩款新型的N通道MOSFET元件，為網路語音電話 (VoIP) 通訊設備的設計帶來更堅固，且能大幅簡化電路和成本的解決方案。

全新的ZXMN15A27K及ZXMN20B28K元件針對多類型不同的VoIP應用而特別設計，滿足基於變壓器的用戶線路介面電路 (Subscriber Line Interface Circuits；SLIC) DC/DC轉換器對基本切換位置的嚴格要求。網路語音電話應用涵蓋寬頻系統、私用電話交換機系統 (PBX Systems)、有線電視和數位用戶迴路 (Digital Subscriber Line；DSL) 閘道器的話音運作。

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台北2009年11月16日電 /美通社亞洲/ — 全球信號處理應用高性能半導體領導廠商 Analog Devices (ADI) 美商亞德諾公司，今天正式發表全新的高速 18伏特 MOSFET（金屬氧化半導體場效電晶體）驅動器家族，能提供2A 與4A 的峰值電流，同時也是業界中最快的驅動器之一，具有14ns 至35ns（毫微秒）的最低傳播延遲以及10ns 至25ns 的邊緣上升 / 下降時間。全新的 ADP 36xx MOSFET 驅動器家族以其過熱保護功能、電壓過低鎖定 (UVLO) 功能與精密關閉能力，使系統的保護性與可靠性獲得改善。這些驅動器可以用來補強脈寬調變 (PWM) 控制器（像是 ADI 曾經獲獎的 ADP 1043A 數位控制器)，進而改善系統的效率，同時使隔離式電力轉換與馬達控制系統應用領域當中的高切換頻率得以實現。

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