意法半導體（ST）推出全球首款1500V超接面功率MOSFET，實現更環保、更安全的電源應用

【台北訊，2015年11月9日】意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。MDmesh K5產品是全球首款擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極（drain-to-source）崩潰電壓（breakdown voltage）的電晶體，並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中。

新產品鎖定電腦伺服器及工業自動化市場。伺服器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是讓伺服器最大幅度減少斷電停機時間的關鍵因素，焊接、工廠自動化等工業應用也需要更大的輸出功率。這些應用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超接面MOSFET技術的出色動態開關性能使其成為工業應用的最佳選擇。

意法半導體的MDmesh K5功率MOSFET系列將此項技術提升至一個全新的水準，單位面積導通電組（Rds(on)） 和柵極電荷量（Qg）均創市場最低，並擁有業界最佳的FoM （品質因素）[1] 。新產品是目前主流電源拓撲的理想選擇，包括標準準諧振（quasi-resonant）與主動式箝位返馳轉換器以及LLC[2] 半橋式轉換器，均要求寬輸入電壓、高能效（高達96%）以及輸出功率近200W的電源。

該系列先推出的兩款產品STW12N150K5及 STW21N150K5其最大漏源電流分別達到7A和14A，柵極電荷量僅有47nC（STW12N150K5）／導通電阻僅 0.9Ω （STW21N150K5）。兩款產品均已量產，採TO-247封裝。

欲了解更多，請瀏覽：www.st.com/mdmeshk5

[1]品質因素（FoM，Figure of Merit）是柵極電荷量乘以導通電阻。這個參數對於電源設計人員來說越小越好。

[2]LLC指「兩個電感器及一個電容器」，是一個電壓範圍寬廣的AC輸入高能效（95%+）AC-DC轉換器拓撲。