Diodes優化互補式MOSFET 提升降壓轉換器功率密度

台灣 — 6月17日 — Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉換器的功率密度。新產品把N通道MOSFET及P通道MOSFET整合到單一DFN2020封裝。元件設計針對負載點轉換器，為專用IC提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應用包括乙太網路控制器、路由器、網路介面控制器、交換機、數位用戶線路轉接器，以及伺服器和機上盒等設備的處理器。

降壓轉換器可利用獨立的脈衝寬度調變控制器及外部MOSFET來提升設計靈活性，同時從開關零件提供分布式散熱。DMC1028UFDB MOSFET組合優化了效能，可提高3.3V到1V降壓轉換器的效率，並驅動高達3A的負載。這些優化效能包括針對在三分之二的開關週期都處於導通狀態的低側N通道MOSFET，Vgs=3.3V下的19mΩ低導通電阻，還有為P通道MOSFET而設，Vgs=3.3V下的5nc低閘極電荷，從而把開關損耗減到最低。

DMC1028UFDB利用P通道MOSFET部署高側開關零件，相比需要充電泵的N通道MOSFET，能夠簡化設計及減少零件數量。與採用了相同尺寸封裝的獨立MOSFET相比，這種把P通道和N通道元件整合到單一DFN2020封裝的互補式雙 MOSFET組合可使整體功率密度翻倍。

新產品以3,000個為出貨批量。欲了解產品詳細資料，請瀏覽Diodes網站www.diodes.com。