科林研發推出先進邏輯元件用的介電質原子層蝕刻功能

加州弗里蒙特市2016年9月7日電 /美通社/ — 先進的半導體設備製造商科林研發公司(Lam Research Corp.)今天宣佈，已在其Flex™介電質蝕刻系統中增加了原子層蝕刻(ALE)功能，以擴展ALE技術的產品組合。運用科林研發的先進混合模式脈衝 (AMMP)技術，新的ALE製程展現出原子級的控制能力，可克服邏輯元件微縮至10奈米以下時面對的重要挑戰。這是業界首度將電漿輔助ALE製程運用在 介電質薄膜上並導入量產，這套最新的Flex系統已獲得廣泛的採用，以作為大量製造邏輯元件之用。

科林研發蝕刻產品部門副總裁Vahid Vahedi表示：「從電晶體和接點建立(contact creation)到連線圖樣(interconnect patterning)，邏輯製造商需要全新等級的精密度才能持續微縮到10奈米以下的製程節點。對自動對準接點(self-aligned contact)等這類元件促成關鍵技術(device-enabling)應用來說，蝕刻有助於建立關鍵結構，但是傳統的技術無法提供符合現在嚴格規範 所需的足夠控制能力。我們最新的Flex產品具備介電質ALE功能，其原子級控制能力是經過生產力驗證的，可以滿足客戶的重要要求。」

為了持續邏輯元件的微縮，晶片製造商正採用像是自動對準接點(SAC)等新的整合方法，來解決RC延遲等問題。因此，接點蝕刻已成為最關鍵的製程之 一，會直接影響晶圓良率與電晶體效能。為了能以高解析度製作關鍵的元件結構，蝕刻製程需要具備超高選擇性(selectivity)的方向性(非等向性) 功能，同時還要能提供製造所需的生產力。

針對下一代的邏輯與晶圓製造應用，科林研發的Flex介電質蝕刻系統可提供業界最先進的電容式耦合電漿 (CCP)反應器，它獨特的小容量設計可提供穩定可靠的生產結果。此最新系統採用屬獨家的AMMP技術，以藉此實現二氧化矽(SiO2)等介電質薄膜的ALE製程。與先前的介電質蝕刻技術相比，此功能可提升2倍的選擇性，而且還能提供原子級的控制能力。