富士通推出具業界最佳運作功耗的64 Kbit FRAM

臺北，2016年4月14日—香港商富士通亞太電子有限公司台灣分公司今日宣布推出具業界最低運作功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。

此FRAM產品採用I2C介面，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V廣泛的電源電壓運作。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運作時為170 μA；以1 MHz運作時則為80 μA。

除了具業界標準8-pin SOP( small outline package) 之外，富士通亦具備小型8-pin SON( small outline non-leaded package)，其適用於低功耗微型電子元件的裝置，例如以電池供電的穿戴式裝置、測量裝置及智慧型電錶等產品。

富士通利用FRAM非揮發性、快速寫入、高讀寫耐受性與低功耗等特性，將其應用於穿戴式裝置市場和IoT市場的無電池解決方案。

目前為了因應低功耗市場的需求，富士通開發出其FRAM產品系列中，具備最低運作電流的64 Kbit FRAM—MB85RC64T。

此產品採用I2C介面，能以1.8V至3.6V的電源電壓及最高3.4 MHz的頻率運作。其主要特性是運作時的極低平均電流(3.4 MHz時為170 μA；1 MHz時為80 μA)，與現有的富士通產品相比，其運作功耗降低近80%，為64 Kbit FRAM實現業界最低的運作功耗。

除了業界標準8-pin SOP之外，此產品亦提供小型8-pin SON版本，其安裝面積約為SOP的20%；安裝體積則為SOP的8%，適用於需要微型化的應用。

MB85RC64T具小型封裝且低功耗的特性，其適用於電池供電穿戴式裝置、測量裝置、智慧型電錶、天然氣錶、水錶等裝置的記憶體。

富士通將持續提供產品及解決方案，為客戶帶來更具價值且更便利的應用。

詞彙與備註

鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)

FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體，即便在沒有電源的情況下仍可保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性，並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀/寫週期的優點。富士通半導體自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。

FRAM網站：

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