英特爾展示第一顆可運作的32奈米處理器
英特爾公司於舊金山舉辦的記者會上,討論32奈米 (nm) 製程與進度所設立的全新里程碑,以生產未來世代的產品。稍早於華盛頓特區,英特爾總裁暨執行長歐德寧 (Paul Otellini) 表示,英特爾正於美國進行有史以來規模最大的單一製程投資,將美國境內的先進製造設施再升級,採用新一代32奈米晶片製程技術。英特爾於2009至2010年間,將投入約70億美元於32奈米製程技術上,總計美國境內32奈米之投資總金額,在該期間內將達到約80億美元。
於舊金山記者會上所發表之產品發展時程如下:
首度展示可運作32奈米微處理器:
英特爾展示第一顆可運作於筆記型電腦及桌上型電腦之32奈米微處理器。
優異的32奈米製程和產品的健全發展使英特爾得以加速推動生產32奈米產品。
– Westmere筆記型電腦和桌上型電腦處理器將於2009年第四季量產
– 32奈米可提升效能和增加功耗調整彈性
隨著32奈米製程量產化,以Westmere為基礎的英特爾筆記型電腦、桌上型電腦及伺服器處理器將逐一量產。
對客戶而言,Westmere將Nehalem技術導入英特爾主流處理器產品系列
• 提升效能且縮小處理器核心面積
• 新多晶片封裝技術並於處理器中內建繪圖功能
• 重新配置(repartitioned)的系統架構,可簡化主機板設計
• 持續量產 – 32奈米製程可望在2010年導入伺服器市場
Westmere主要功能
• Intel® Turbo Boost技術
• Intel® 超執行緒技術 (Hyper-Threading technology) (雙核心,4執行緒)
• 內建繪圖功能,獨立/可切換繪圖支援功能
• 4MB快取記憶體,內建繪圖控制器 (Integrated Memory Controller) – 雙通道DDR3
• AES指令
邁入第二代high-k +金屬閘極電晶體的32奈米製程時代
身為整合型元件製造領導者,英特爾以2年為一週期,持續推出全新世代的先進製程技術。英特爾業已開發出具領導業界之32奈米邏輯技術:
• 第二代high-k +金屬閘極電晶體
• 32奈米代表英特爾首度在重要晶體層採用浸潤式微影技術 (immersion lithography)
• 9層銅 + low-k內部連結層 (interconnect layers)
• 尺寸約為45奈米產品的70%
• 無鉛和無鹵素封裝
Nehalem和Westmere產品系列
市場 | Nehalem (45nm) | Westmere (32nm) | |
桌上型電腦 | 高階 | Bloomfield (4C / 8T) | Gulftown (6C / 12T) |
主流 | Lynnfield (4C / 8T) | Clarkdale (2C / 4T + iGFX) | |
筆記型電腦e | Clarksfield (4C / 8T) | Arrandale (2C / 4T + iGFX) | |
伺服器 | 可擴充高延展性
(通常具4插槽以上) |
Nehalem-EX (8C / 16T) | 未來以Westmere為基礎的處理器 |
高效率效能
(通常具雙插槽以上) |
Nehalem-EP (4C / 8T) | 未來以Westmere為基礎的處理器 | |
入門級 (EN)
(通常為單插槽) |
Lynnfield (4C / 8T) | Clarkdale (2C / 4T + iGFX)* |
C = 處理器核心數目
T = 支援軟體執行緒數目
關於英特爾
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