美光推出第三代低延遲記憶體 RLDRAM

(台北訊，2010年7月14日)   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延遲DRAM (RLDRAM^R 3記憶體)，一種高頻寬記憶體技術，能更有效的傳輸網路資訊。影像內容、行動應用和雲端計算的蓬勃發展，產生了對更高效網路基礎設施的需求，以能線上傳輸大量資料。與前幾代產品相比，美光新的RLDRAM 3記憶體進一步提高了儲存容量和速度，同時將延遲減至最低，降低了功耗，在網路應用中效能更好。

美光的DRAM行銷副總裁Robert Feurle表示，隨著網路內容消費的不斷增長，人們日益需要有一種能支援網路流量增長的技術，美光的RLDRAM 3記憶體滿足了這種需求。

對於現有的RLDRAM 2，美光將繼續提供最高水準的技術支援，並計畫長期生產該產品。此外，美光正將其RLDRAM 2產品組合轉入更先進的50nm製程，提高系統效能，降低功耗。

RLDRAM 3記憶體產品特點

美光新的RLDRAM 3記憶體的主要特點及優點包含：

• 低延遲：tRC不足10奈秒，隨機存取延時為業界最低
• 高容量：576Mb-1Gb，靈活性高，可用於多種設計
• 高速率：達2133Mb/s，資料存取速度更快
• 高能效：1.2V IO和1.35V內核電壓，更省電

構建RLDRAM 合作夥伴網絡

美光持續與龐大的合作夥伴網路維持緊密聯繫，使其RLDRAM儲存解決方案能更易於與網路設備整合。美光廣泛地與其合作夥伴合作，為客戶提供量身定做的解決方案，優化網路系統效能。作為這個珍貴產業系統的一分子，美光目前合作的領先FPGA公司有Altera 和Xilinx，RLDRAM 3記憶體可整合到其產品系列中。

Altera元件產品行銷資深總監Luanne Schirrmeister表示，Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的定型資料路徑 (hardened datapaths)，針對美光記憶體設有高效能、低延遲介面。RLDRAM 3記憶體的發表可讓Altera 的記憶體頻寬高達1600 Mbps，速度為業界最高，大幅降低了延時。美光新的儲存產品搭配Altera新的記憶體介面架構是一項重要技術成果，也是 Altera 與美光多年技術合作的一項巔峰之作。

Xilinx應用和技術行銷資深總監Rina Raman表示，Xilinx 7系列FPGA應用於最高級的網路設備，用於滿足全世界對頻寬無止盡的需求。Xilinx與美光合作，支援其新的RLDRAM 3技術，使Xilinx的客戶能夠開發網路平臺，以滿足最嚴格的基礎設施需求。

產品可用性
美光預計將在2011年上半年開始對其RLDRAM 3進行抽樣，目前正與客戶合作，徵求其對RLDRAM 3記憶體設計的意見。此外，美光預計將在2010年第四季度開始對其50nm RLDRAM 2產品進行抽樣。

相關連結
瞭解美光的最新消息：

• 美光創新部落格：www.micronblogs.com
• 美光的Twitter：http://twitter.com/microntechnews
• 美光新聞：www.micron.com/media

關於美光科技(Micron Technology, Inc.)
美光科技是領導業界的先進半導體解決方案供應商之一。美光透過全球性營運、製造和銷售一系列DRAM、NAND和NOR快閃記憶體，以及其他創新儲存技術、封裝解決方案和和半導體系統，用於前沿計算、消費、聯網和行動產品。有關美光的詳細資訊，請參見www.micron.com。