安森美半導體推出IPD2製程技術，結合HighQ性能和小尺寸， 用於可攜式電子應用

2010年5月28日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供 應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的整 合無源元件(IPD)製程技術——IPD2。這項新的製程是公司增強既有的HighQ™矽銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅 為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精 度、高性價比的整合無源元件，用於可攜式電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。

HighQ™ IPD2製程是安森美半導體訂製代工部眾多創新製造服務之一，採用先進的8吋晶圓技術，典型設計包括平衡/不平衡轉換器(balun)、低通濾波器、帶通濾波器和 雙工器，用於最新可攜式和無線應用。以IPD2為根基的設計為電路設計人員提供重要優勢，如降低成本、減小厚度、小占位面積，以 及更高性能(等同於延長電池使用時間)。

安森美半導體為其IPD2製程技術提供全功能設計工具和設計支援，以及快 速的原型製造能力，幫助潛在用戶快速和高性價比地評估，不管他們複雜度較低的分立或整合印刷電路板(PCB)方案、較厚也較昂貴的陶瓷方案，或是以更昂貴的 砷化鎵金(Gold on Gallium Arsenide)為基礎的IPD是否適合轉換至IPD2製程。

安森美半導體訂製代工部資深 總監Rick Whitcomb說：「在高性價比、小 尺寸和低插入損耗的平臺上整合無源元件，能為電池供電可攜式電子產品設計人員提供極有用的方案。我們以全套設計工具和技術配合這項新 製程，能夠幫助客戶以最短的時間和最大的信心，從效用相對較低的技術轉換至我們的IPD2製程。”

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關於安森美半導體

安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)是 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供應商。公司的產品系列包括電源和訊號管理、邏輯、分立及訂製元件，幫助客戶解決他們 在汽 車、通訊、電腦、消費電子、LED照明、醫療、工業、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場營運包括 製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網路。更多訊息請瀏覽http://www.onsemi.com。