2010年5月28日 – 應用於綠色電子產品的首要高性能、高能效矽方案供 應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出新的整 合無源元件(IPD)製程技術——IPD2。這項新的製程是公司增強既有的HighQ™矽銅(copper on silicon) IPD技術，第二層的銅層厚度僅 為5微米(μm)，增強了電感性能，提高了靈活性，配合設計高精 度、高性價比的整合無源元件，用於可攜式電子設備中的射頻(RF)系統級封裝應用。
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