IR推出採用PQFN封裝20V、25V及30V MOSFET 適用於ORing和馬達驅動應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，當中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
這些新功率MOSFET具備IR最先進的矽技術，亦是該公司首批採用5x6mm PQFN封裝，並配備經優化的銅鉗和焊接晶片的元件。
IRFH6200TRPbF 20V元件提供領先業界的(RDS(on))，在4.5V Vgs下最高也只為1.2mΩ，有助手動工具等DC馬達驅動驅動應用顯著減低傳導損耗。
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR憑著在基準MOSFET技術方面的豐富經驗和不斷的努力，繼續在業界發揮光芒，透過把我們新一代矽技術與PQFN封裝技術結合，推出性能超卓的新MOSFET系列，帶來領先業界的(RDS(on))。此外，我們將按產品發展路徑，在未來數月推出廣闊的PQFN基準MOSFET產品陣營，來回應客戶的訴求。」
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF這兩款元件都是為DC開關應用，例如要求高電流承載能力和高效率的有源ORing及DC馬達驅動應用而設計。IRFH5250TRPbF具備極低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且閘電荷 (Qg) 僅為52nC。至於IRFH5300TRPbF的RDS(on)則最高只有1.4mΩ，而Qg就有50nC。
如果設計採用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF元件，不單能夠擁有卓越的溫度性能，還可以在指定的功率損耗下，比現有的解決方案使用較少的零件，有助節省電路板空間及成本。
所有這些新元件都具備低溫度電阻 (<0.5°C/W)，兼且達到第一級濕度感應度 (MSL1) 業界標準。它們也不合鉛、溴化物和鹵素，符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
IRFH6200TRPbF產品規格
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元件編號 |
封裝 |
電壓 |
最大Vgs |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Rdson max @ Vgs=2.5 |
Id @ Tc=25 |
|
IRFH6200TRPbF |
PQFN 5x6mm |
20 V |
±12V |
1.2 mOhm |
1.4 mOhm |
100 A |
IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF產品規格
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元件編號 |
封裝 |
電壓 |
Rdson max @ Vgs=10 |
Rdson max @ Vgs=4.5 |
Qg typ @ Vgs=4.5 |
Id @ Tc=25 |
|
IRFH5250TRPbF |
PQFN 5x6mm |
25 V |
1.15 mOhm |
1.7 mOhm |
52 nC |
100 A |
|
IRFH5300TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1.4 mOhm |
2.1 mOhm |
50 nC |
100 A |
|
IRFH5301TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
1.85 mOhm |
2.9 mOhm |
37 nC |
100 A |
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IRFH5302TRPbF |
PQFN 5x6mm |
30 V |
2.1 mOhm |
3.5 mOhm |
29 nC |
100 A |
有關產品現正接受批量訂單。這些新元件的數據資料和應用說明已刊登於IR的網站www.irf.com。
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。