東芝推出新一代600V平面MOSFET系列

東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日(1月17日)宣布推出「第九代π-MOS」，全新600V平面式MOSFET系列，量產出貨於即日起啟動。

第九代π-MOS系列採用最佳化的晶片設計，與現有的第七代系列相比，其EMI雜訊峰值低5dB[1]，但同時又保持了相同水準效率。它提供更大的設計自由度進而助於減少設計的工作量。另外，此系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流，可輕鬆取代現有的MOSFET。

東芝為擴大第九代π-MOS系列之產品陣容，往後將陸續推出更多500V、 600V和650V元件，提供客戶更多產品選擇。

應用方面

  • 筆電AC變壓器及遊戲機充電器中的小型電源供應器
  • 照明電源供應器

產品特點

  1. 兼具高效率及低雜訊
  2. 額定雪崩電流和直流電流相等

主要規格

產品型號 封裝 絕對最大額定值 RDS(ON)
MAX (Ω)
at VGS=10V		 Qg
Typ.
(nC)		 Ciss
Typ.
(pF)		 現有(π-MOS VII 系列)
產品型號
VDSS (V) ID (A)
TK650A60F TO-220SIS 600 11 0.65 34 1320 TK11A60D
TK750A60F TO-220SIS 600 10 0.75 30 1130 TK10A60D
TK1K2A60F TO-220SIS 600 6 1.2 20.5 740 TK6A60D (1.25Ω)
TK1K9A60F TO-220SIS 600 3.7 1.9 14 490 TK4A60DB (2.0Ω)

 

註：
[1]：TK10A60D與TK750A60F相比較（65W筆記型電腦變壓器在200MHz區域內）。