GLOBALFOUNDRIES發布頂尖 FDX™ FD-SOI 技術平台上之毫米波、 射頻及類比技術

【2017年9月27日，臺北訊】GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導體，GF)今日發布適用於新一代無線及物聯網晶片組之 射頻/類比 PDK (22FDX®-rfa) 解決方案，以及適用於 5G、汽車雷達、WiGig、SatComm 及無線行動網路回傳的毫米波 PDK (22FDX®-mmWave) 解決方案。

兩款解決方案皆以GF 22奈米 FD-SOI 平台為基礎，結合了高效能 射頻、毫米波 以及高密度數位特性，能為整合式單晶片系統解決方案提供強大支援。此技術在高電流密度及低電流密度下均能擁有最高的 fT (電流增益截止頻率)和 fmax (最大振盪截止頻率)特性，適合需要尖端效能和電源效率的應用，例如 LTE-A、NB-IOT 和 5G 無線收發器、GPS WiFi，以及 WiGig 複合晶片、多種搭載整合式 eMRAM 的物聯網 與汽車雷達應用。

「由於客戶不斷挑戰智慧連網裝置的功能極限，GF希望透過推出新的 FDX 系列差異化產品，進而突破智慧連網裝置的限制。快速演進的行動及物聯網主流市場需要射頻及類比領域的不斷創新。」GLOBALFOUNDRIES CMOS 業務部門資深副總裁 Gregg Bartlett 說道：「GF的 22FDX-rfa，整合出色的射頻及類比功能，有助於提供具差異化特性的行動及物聯網產品，並能完美平衡功耗、效能及成本。針對新興的毫米波市場，GF的 22FDX-毫米波 提供業界前所未有的效能，造就差異化的相位陣列波束成形，以及其他毫米波系統解決方案，同時具備最低功耗以及最高水準的效能以及整合度。」

GF的 22FDX 射頻 以及毫米波 技術產品經過最佳化處理，能夠整合高效能天線交換器和功率放大器，適合單一系統單晶片 NB IoT 和 5G 毫米波波束成形相位陣列系統等先進連線應用。

22FDX-rfa 做為 FinFET 類技術以外的方案，不僅提供整合前端模組元件的功能，更具備較低熱雜訊特性；其自增益放大效能與 FinFET 技術相當，而與 bulk CMOS 相比，則具有高達至少兩倍的自增益效能。與 FinFET 技術相比，FD-SOI 技術基礎的固有特性能進一步減少將近三成的浸潤式微影層，卻能取得更為優異的 射頻 效能。

現已提供進階射頻 及類比、毫米波以及嵌入式非揮發式記憶體解決方案的流程設計套件，並能立即提供客戶原型設計。