Micron 瞄準次世代智慧型手機市場，推出行動 3D NAND 解決方案

加州聖塔克拉拉, Aug. 10, 2016 (GLOBE NEWSWIRE) — Micron Technology, Inc.,（Nasdaq 代號：MU）今日推出該公司首款針對行動裝置最佳化的 3D NAND 記憶體技術，同時推出以通用快閃儲存 (Universal Flash Storage, UFS) 2.1 標準為基礎的多項產品。Micron 首款行動 3D NAND 架構 32GB 解決方案目標瞄準中高階智慧型手機市場區塊；以全球智慧型手機數量評估，此市場區塊佔將近 50%[1]。有鑒於行動裝置超越個人電腦成為消費者的主力運算裝置，使用者行為預料將對裝置的行動記憶體和儲存需求誘發深遠影響。Micron 旗下的行動 3D NAND 不但能滿足相關需求，更可提供無與倫比的使用經驗，包括無縫串聯高解析度視訊串流、超高頻寬遊戲、縮短開機時間、提升相機性能，以及檔案載入加速。

Micron 行動事業部副總裁 Mike Rayfield 表示：「Micron 藉由推出瞄準行動市場區塊的 3D NAND 及 UFS 產品，不斷致力於推動 NAND 技術發展。3D NAND 在性能、容量及可靠性等方面實現進步，有助於客戶滿足行動儲存不斷增長的需求，讓使用經驗更為美好。」

為了因應行動視訊及多媒體使用量大增衍生而來的硬體需求增長，以及預期 5G 無線網路推出後引發的儲存需求增加，Micron 3D NAND 技術透過超高精準度垂直堆疊資料儲存單元層，打造出容量為前代平面 NAND 技術容量三倍的儲存解決方案。透過垂直堆疊儲存單元提高容量的方式，Micron 能在縮小晶粒面積的同時裝載更多的儲存單元，連帶實現業界最小體積 60.217mm2 的 3D NAND 記憶體晶粒。晶粒縮小代表記憶體封裝體積能夠微型化，解放出額外空間供行動電池運用，或是縮小裝置外型。

Forward Insights 創辦人暨首席分析師 Greg Wong 表示：「對於智慧型手機及其他行動裝置而言，3D NAND 技術是持續發展的關鍵。隨著 5G 的進展以及行動裝置對數位生活的影響日漸深化，智慧型手機製造商需要最先進的技術以儲存和管理不斷增加的資料量。Micron 的行動 3D NAND 是解決市面上多變資料儲存需求的完美解答，針對高解析度視訊、遊戲和攝影締造更為全方位的使用經驗。」

3D NAND：行動市場面貌改變的動力
Micron 首款行動 3D NAND 具備多項技術競爭優勢。新功能特色：

  • 業界首款以浮動閘極技術為基礎打造的行動產品，透過多年來製造高容量平面快閃記憶體累積大量經驗，淬鍊出通用設計
  • Micron 首款符合 UFS 2.1 標準的記憶體裝置，具備以行動市場為目標的同級最佳循序讀取效能
  • 3D NAND 架構多晶片封裝 (MCP) 另外供應低功耗 LPDDR4X，能源效率較標準款 LPDDR4 記憶體提升 20%
  • 業界最小體積 60.217mm2 3D NAND 記憶體晶粒，以此為基礎實現記憶體封裝微型化，適用於超小型裝置用途；相較於相同容量平面 NAND 晶粒，Micron 3D NAND 晶粒體積縮小 30%。

Micron 3D NAND 行動解決方案現正進行行動市場客戶及合作夥伴的樣品試驗，預計將於 2016 年底推出上市。

[1] 資料來源：Micron 內部預測

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