德州儀器推出業界阻抗最低的1.2-mm2 FemtoFET60-V N通道功率MOSFET

（台北訊，2016年7月14日）德州儀器（TI）推出新型60-V N通道功率FemtoFET場效應電晶體，實現業界最低且較傳統60-V負載開關還低90%的最低阻抗，終端系統功耗因此得以降低。CSD18541F5的1.53-mm×0.77-mm極小型矽基封裝尺寸較SOT-23封裝內的負載開關小80%。如欲瞭解更多資訊與樣品，請參考www.ti.com/CSD18541F5-pr-tw 。

CSD18541F5金屬氧化物半導體場效應電晶體（（MOSFET））保持典型的54-mΩ導通電阻（Rdson），並經設計與最佳化以取代空間受限的工業負載開關應用中的標準小訊號MOSFET。這種極小型柵格陣列（（LGA））封裝的焊盤間距為0.5-mm，易於安裝。相關資訊請參閱部落格文章「藉由新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的工業裝置尺寸」。

CSD18541F5拓展了TI FemtoFET MOSFETs中的NexFET™技術產品組合至電壓更高且適於生產的尺寸。請下載設計概要以瞭解更多有關LGA封裝的詳細資訊。

CSD18541F5的主要特點和優勢

  • 功耗因10-V閘極（VGS）的超低54-mΩ Rdson較傳統60-V負載開關減少90%而得以降低。
  • 超小型1.53-mm×0.77-mm×0.35-mm LGA封裝較SOT-23封裝中的傳統負載開關尺寸小80%，使電路板 （PCB） 的占板面積得以降低。
  • 適於生產的0.5-mm焊盤間距。
  • 整合式靜電放電（ESD）保護二極體可防止MOSFET閘極過壓。

供貨、封裝與定價

CSD18541F5的3針腳LGA封裝目前可由TI及其授權代理商批量供貨，定價為$0.14美元（基本訂購量以1,000個為單位）。請下載PSpice瞬態模型。

關於TI的NexFET功率MOSFET

TI的NexFET功率MOSFET提升了高功率運算、網路、工業和電源應用中的電源效率。此類高頻、高效類比功率MOSFET使系統設計人員能夠運用當前最先進的DC/DC電源轉換解決方案。

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