意法半導體（ST）以新款MOSFET電晶體技術/封裝解決方案重新定義功率能效

【台北訊，2016年5月17日】橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新款MDmesh™DM2 N-通道功率MOSFET，為低電壓電源設計人員在提高電腦、電信網路、工業、消費性電子產品的能效上創造更多機會。

全世界的人都在獲取、保存、分享大量的電子書、視訊、相片和音樂文件，數據使用量連續快速成長，執行雲端運算技術的伺服器叢集、互相聯通的電信網路、數據用戶終端設備的耗電量也隨之越來越高，人們對這些設備能耗最小化的需求越來越多。為應對這一挑戰，意法半導體整合了最先進的功率電晶體結構和尺寸精巧且高熱效率的PowerFLAT 8×8 HV封裝技術，推出世界上功率密度最好的[1]功率電晶體解決方案。

意法半導體的新系列功率電晶體產品包括整合快速恢復二極體、崩潰電壓650V的各種超接面功率MOSFET。包括低閘極電荷量、低輸入電容、低輸入電阻、內部二極體的快速恢復、極低的恢復電荷量（Qrr）、極短的恢復時間（Trr）和業界最好的軟開關性能 [2]在內的技術參數，使這款新產品能領先於競爭對手的產品。

意法半導體的新款MDmesh™ DM2 功率MOSFET目前有多種封裝/崩潰電壓組合

詳情請瀏覽：www.st.com/mdmeshdm2。

[1]功率密度指市電AC電源轉成低電壓DC電源時的輸出功率與體積的比值，能源浪費越少，同時尺寸越小，功率密度越高。

[2]軟開關是一種電源模式，在最適合的條件下使MOSFET控制導通或關斷，例如，當控制訊號接近零時就是一個最適合的開關條件。