TrendForce:半導體業者大舉布局,2020年中國國內Flash月產能上看59萬片

Apr. 25, 2016 —- 中國業者在NAND Flash產業鏈的相關布局與投資不斷開展,成為中國半導體業揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠,及國際廠如三星、英特爾增加產能,預估2020年中國國內Flash月產能達59萬片,相較於2015年成長近七倍。

TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產端年平均位元成長率達47%,其終端消費端需求年平均位元成長率亦高達46%,顯示NAND Flash仍為高速發展產業。拓墣研究經理林建宏表示,中國在突破記憶體自製缺口的政策方針下發展Flash晶圓製造,可由NAND Flash產品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間,及國際半導體大廠在中國投資四大方向切入。

  1. NAND Flash產品特性(資金成本):產品在消費性應用下,價格是主要考量,因此生產成本的控制至為關鍵。中國廠商宜透過折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點。
  2. 3D NAND需求(製程微縮):Flash在進入2x奈米後,製程微縮帶來的成本優勢越來越不明顯,推遲國際Flash大廠技術進程,因此3D-NAND Flash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出,產品由2D走到3D,需有新的技術領域加入,若能整合跨領域人才和技術,能成為中國廠商追趕的機會。
  3. 新興市場成長空間:雖然Flash產業短期仍處於供過於求,但長期而言新興市場仍有成長空間。中國隨一帶一路政策發展的策略,對開發其周遭新興市場需求有相當助益,妥善安排資源與發揮對新興國家的影響力,將是中國獨有的優勢所在。
  4. 半導體大廠在中國投資(人力與市場):國際半導體廠商積極投入中國,在當地培養有經驗和技術的人才,支持廠房運維的高度需求,有助降低中國發展自主Flash製造的門檻。中國透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進駐,為中國發展Flash產業帶來最好機會。