Diodes 100V MOSFET H橋採用5mm x 4.5mm封裝 有效節省佔位面積

台灣 — 2月16日 — Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET整合到微型DFN5045封裝 (5mm x 4.5mm)。這種配置可減少部件數量以及節省電路板空間，另外對要求配備多種元件的應用尤為重要，包括一系列工業檢測系統或海事聲吶設備內的超聲波換能器。其他常見的應用有48V電訊設備散熱風扇的直流驅動電機，以及無線充電板線圈等電感負載。

DMHC10H170SFJ具有100V漏源極崩潰電壓 (BVDSS)，提供充足的頂部空間以支援48V電訊軌和工業應用。它還配備5V的閘極電壓，以簡化微控制器的直接邏輯電平介面之設計。該元件的峰值脈衝電流額定值為11A，使之能夠在驅動線圈通電時處理衝擊電流，這一般比直流電機的典型操作電流大五倍。

新產品可替代四個SOT23或兩個SO-8封裝元件，使多個超聲波換能器能以精密的陳列部署。以1,024個換能器一組為例，每個都必須由H橋單獨驅動，從而為相控陣系統提供可控的聚焦光束。這種系統用來檢測材料生產流程，並且適用於海事回聲定位系統。

DMHC10H170SFJ採用了V-DFN5045-12封裝，提供市場上獨有的超小尺寸解決方案。新產品以3,000個單元為出貨批量。如欲了解進一步產品資訊，請瀏覽：www.diodes.com。