意法半導體（ST）推出新款功率MOSFET，實現更小、更環保的汽車電源

【台北訊，2015年12月23日】意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）針對汽車市場推出了新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，採用意法半導體最先進、內建快速恢復二極體的MDmesh™ DM2超接面製程，崩潰電壓範圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。

400V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首獲AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產品性能則高於現有競品。全系列產品專為汽車應用所設計，內部整合高速本體二極體（fast body diode）、恢復軟度係數更高的換向行為（commutation behaviour）和背對背閘極源極齊納（gate-source zener）二極體保護功能，是全橋零電壓開關拓撲的理想選擇。

意法半導體的新功率MOSFET是汽車市場上Trr（反向恢復時間）／Qrr（反向恢復電荷）比和恢復軟度系數表現最好的功率MOSFET，同時也擁有最出色的高電流關機能源（Eoff），有助於提升汽車電源能效。此外，內部高速本體二極體的性能表現亦十分出色，有助於降低EMI電磁干擾，讓設計人員能夠使用尺寸更小的被動濾波元件。MDmesh™ DM2技術透過這種方式讓電源設計變得更環保、能耗更低，從而使能效最大化、終端產品的尺寸最小化。

意法半導體的新款車用功率MOSFET擁有以下主要特性：

• 快速恢復本體二極體
• 極低的閘極電荷及輸入電容，500V D2PAK產品的閘極電荷及輸入電容分別為44nC和 1850pF
• 低導通電阻
• 最短的Trr（反向恢復時間）：600V TO-247在28A時是120ns；650V TO-247在48A時是135ns
• 閘極源極齊納二極體保護

欲了解更多產品詳情，請瀏覽www.st.com/mdmeshdm2