Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負載開關損耗

台灣 — 12月16日 — Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET採用了設計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別提供12V和20V的額定值。新產品適用於追求高效電池管理的平板電腦、智慧型手機、超輕薄筆電等可攜式消費性電子產品的負載開關，以及物聯網的應用。

兩款MOSFET在低閘極驅動情況下提供低導通電阻，有效滿足那些希望用簡易的方法關閉低壓電源軌的電路設計師。這還確保低至1.5V的電源軌能夠以最低通損耗進行開關。DMP1022UFDF在-2.5V閘極驅動下的導通電阻少於20mΩ；DMP2021UFDF在-1.8V閘極驅動下的導通電阻則少於26mΩ。以MOSFET作為高側負載開關來關掉閒置處理器核心和其他非活躍電路，能有效延長電池壽命。

新產品採用了佔位面積僅4mm2的小型DFN2020封裝，離板高度只有0.6mm，同樣非常適合對空間要求嚴格的應用。這款封裝還具有外露漏極焊墊，其低於10°C/W的結點至焊墊熱阻提供散熱功能，從而降低裸片溫度並提升元件可靠性。

DMP1022UFDF及DMP2021UFDF各以10,000個為出貨批量。如欲了解進一步產品資訊，請瀏覽：www.diodes.com。