IDT 採用全新SPDT 開關之KZ恆阻抗技術來改善RF切換器效能

【2015年12月2日，台北訊】供應關鍵混合訊號半導體方案的領先類比與數位公司IDT® (納斯達克交易代碼：IDTI)，於今日推出業界第一款採用其專利申請中的KZ恆阻抗技術的單刀雙擲（SPDT）RF切換器。IDT F2923是一款低插入損耗的SPDT吸收式RF切換器，適合大多數的RF應用，包括基地台（2G，3G，4G，5G），無線回程，CATV和可攜式手持設備。

當RF端口間切換時，KZ控制所有端口的阻抗，以保留回波損耗。當切換RF路徑時，標準切換器由於在交換期間無KZ功能控制開關的阻抗，導致產生較大的電壓駐波比（VSWR）。VSWR瞬態會降低系統性能，並減少可靠度。 KZ在不同的動態或「熱交換」情況下的優點為：

• 最小化TDD系統內Tx/Rx合成器切換的傳送及恢復時間
• 當切換兩個RF元件如功率放大器、驅動器和低雜訊放大器時，避免損傷和錯誤引發的瞬態
• 當切換分散式網路如3dB耦合器或4路分配器的路徑時，最小化未切換路徑的瞬態振幅和相位誤差

IDT的射頻事業部總經理Chris Stephens提到，「最新款SPDT開關，強化了我們全新的KZ技術，大幅提高熱交換性能。」。「F2923再次展現IDT在系統開發人員所企求的核心RF創新領導地位。」

除KZ 技術外，此裝置同時提供了以下功能：:

• 在2GHz時具有0.48dB的插入損耗
• IIP3大於66dBm@2GHz
• 在2GHz時具有領先業界的74 dB隔離度

IDT的創新KZ技術涵蓋的頻率範圍從300kHz至8000MHz，確保裝置從一個RF端口切換到另一個時，不損及隔離度，線性性能或插入損耗，同時並提供近乎恆定的阻抗（VSWR<1.4:1，相較標準切換器的VSWR為9:1）。F2923採用3.3V單一的正電壓電源，並支援標準的1.8V和3.3V邏輯控制準位。

供貨狀況

F2923切換器目前為樣品階段，以4mm x 4mm 20引腳TQFN封裝。