意法半導體(ST)新功率MOSFET實現近乎完美的開關性能
【台北訊,2015年9月14日】廣受市場歡迎的意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)MDmesh™ M2系列的N-通道功率MOSFET 再添新成員,新系列產品能夠為伺服器、筆記型電腦、電信設備及消費性電子產品電源提供業界最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果特別顯著,讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源,同時輕鬆達到日益嚴苛的能效目標要求。
新款600V MDmesh M2 EP產品整合意法半導體經市場驗證的條形佈局(strip layout)和全新進化的垂直結構與最佳化的擴散製程(diffusion process),擁有近乎理想的開關設計,包括非常低的導通電阻和最低的關機開關損耗,是特別為超頻功率轉換器(f> 150 kHz)專門設計,為要求最嚴苛的電源供應器(PSU,Power Supply Unit)的理想選擇。
硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(resonant topologies),例如LLC諧振,新元件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除MDmesh M2產品的閘極電荷(Qg)極低外,M2 EP產品的關機能源(Eoff )還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關機損耗同樣降低20%。在低電流範圍內降低Eoff損耗,有助於提高低負載能效,進而協助電源廠商順利達成日益嚴苛的能效認證要求。
升級後的關機波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉換器的能效、降低雜訊,每周期回收再利用更多電能,而不是以散熱的形式浪費掉。
新款MDmesh M2 EP系列的主要特性:
- 極低的閘極電荷(Qg低至16 nC)
- 針對輕負載條件最佳化電容曲線(capacitance profile)
- 針對軟體開關最佳化Vth和Rg參數
- 穩健的本體二極體(body diode)
MDmesh M2 EP系列鎖定需要高能效的電源應用,提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5×6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247),所有產品均已量產。
欲知更多詳情,請瀏覽:www.st.com/mdmeshm2
關於意法半導體
意法半導體(STMicroelectronics;ST)是全球領先的的半導體公司,提供創新先進的產品及解決方案,為人們帶來更智慧且具更高能效的電子產品,提昇日常生活的便利性。意法半導體的產品無所不在,致力於與客戶群共同努力實現智慧駕駛、智慧工廠、智慧城市和智慧家庭,以及下一代行動和物聯網產品。意法半導體代表著科技帶動智慧生活(life.augmented)的理念。
意法半導體2014年淨收入74.0億美元,在全球各地擁有10萬客戶。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。