IDT發表新型可變電壓衰減器，增進GaAs產品高達 1,000X的線性度
【2015年8月24日，台北訊】– IDT公司(IDT®) (NASDAQ: IDTI)今日發表兩項RF可變電壓衰減器(VVA)系列新品 ，能夠擴展IDT頻率覆蓋範圍，支援1 MHz到6 GHz的頻率。 與本系列其他產品相同的是， F2255 和 F2258 裝置提供領先業界的低插入耗損以及高線性度等優勢。
IDT的VVA產品針對需要準確衰減的應用程式提供模擬控制。這兩項新產品皆採用16接腳TQFN封裝 (3×3mm)，提供少於他牌解決方案約莫一半的介入損失，IP3效能為1000x (30 dB)倍更優於他牌GaAs裝置，且在整個電壓控制範圍內，尚具備dB線性衰減的特色。低插入損耗能夠減少射頻鏈路的路徑損耗，而高線性度則能夠增進系統頻寬。
這些最新裝置不僅符合流行脈動，且非常適合使用於基地台(2G, 3G及4G)，微波設施，公共安全，可攜式無線通訊/資料設備，測試/ ATE設備，軍用系統， JTRS無線電和HF， VHF和UHF收音機等，
「和GaAs解決方案相比，IDT的RF矽基產品能夠帶來卓越效能，也就是提升到30dB的線性度。」IDT DF部門總經理Chris Stephens表示：「本次的新產品是目前市場上具有最低插入耗損的VVA產品，且最具有線性衰減控制特色。」
IDT衰減器運用矽基射頻半導體技術，能夠提供一種替代舊以GaAs為基準的半導體技術。矽晶技術提供加強後的RF性能優勢，更強大的靜電放電(ESD)保護，更好的濕度敏感性等級(MSL) ，提高散熱性能，更低的功耗，以及矽晶技術的信度。
與他牌具備管腳相容特色的GaAs產品相較之下，F2258裝置具有一個輸入IP3高達65dBm 對 35dBm的特色， 33dB/V與53dB/V的最大衰減斜率；最低反射耗損高達6000MHz ， 12.5dB對7dB；以及操作105℃ 對 85℃的最大溫度範圍。F2255裝置能夠支援最低1MHz的頻率，且最大衰減斜率為33dB/V。兩項裝置皆擁有雙向RF端口，並支援3V或5V的單一正電源電壓，工作溫度範圍為-40℃至105℃。
IDT提供高性能和全功能的射頻(RF)混頻器，確實管控產品，呈現精巧封裝的高效能表現。RF訊號路徑產品包括低功率、低失真RF，到中頻(IF)混頻器、低噪音高效能中頻可變增益放大器(VGA)，低噪音高效能數位步進衰退器 (DSA)，以及高效能低插入損耗RF轉接器 。這些裝置非常適用於4G蜂巢式基地台、寬頻分享器、分散天線系統以及回程傳輸設備等相關產品。
IDT(Integrated Device Technology, Inc.) 開發系統級解決方案，務求客戶的應用得到最大的優化。IDT運用其在時脈、序列交換，和介面的市場領先專業技術，並融入類比和系統專業知識，為通信、運算，和消費性市場提供完整的應用最佳化和混合信號解決方案。IDT總公司位於加州聖荷西，其設計、製造、銷售據點與經銷商遍及全球。IDT在NASDAQ全球精選市場(Global Select Market®)掛牌交易，代號IDTI。詳細公司資訊請參觀www.IDT.com，或訪問Facebook、LinkedIn、Twitter 、 YouTube 和 Google+。