安森美半導體推出業界最小封裝、最佳空間性能的肖特基勢壘二極體

2009年8月19日 – 全球領先的高性能、高效能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極體。這些新的肖特基勢壘二極體採用超小型0201雙矽晶無針腳(DSN2)晶片級封裝，為可攜式電子設計人員提供業界最小的肖特基二極體和同類最佳的空間性能。

這些新的肖特基二極體提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安培(mA)或200 mA，其中後者是業界最小巧的額定200 mA元件。這些新的元件為越來越多空間受限的應用解決問題，例如手機、MP3播放器和數位相機等。

安森美半導體小訊號產品分部總監暨總經理何燾(Dan Huettl)說：「“我們客戶持續面對設計挑戰，要在空間受限的應用中取捨最佳化電路板佈線與系統性能的問題。安森美半導體遂推出超小型0201 DSN-2肖特基勢壘二極體，回應系統設計人員的訴求，最佳化可攜式應用的電源管理。」

元件
這些肖特基二極體封裝底部含有可焊接金屬觸點，令工作的矽晶圓百分之百地利用封裝面積。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，與常見的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也稱作0402)封裝相比，節省3倍的電路板空間。這些新元件的漏電為市場上最低，能幫助設計人員解決功率損耗、效率及開關速度問題。與採用傳統塑模封裝的競爭元件相比，新的肖特基二極體的板面積性能顯著提升，遠遠勝過競爭元件。它們的電源管理特性，也領先同類產品，有助延長可攜式設備應用中的電池使用時間。

NSR0xF30NXT5G元件系列使正向電壓降(Vf)獲得最佳化，在10 mA正向電流時僅為370毫伏(mV)，進一步突顯這系列的先進、高性能規格。NSR0xL30NXT5G元件系列設計用於低反向電流(Ir)，在 10 V反向電壓時僅為0.2微安(µA)，且洩漏電流極低，延長電池使用時間。這兩個系列的元件提供人體模型(HBM) 3B類和機器模型(MM) C類的ESD額定能力及低熱阻抗，為設計工程師解決在小電路板空間中納入越來越多電路的挑戰。這些肖特基二極體符合RoHS指令，工作溫度範圍為–40°C至+125°C，非常適用於嚴苛室內及室外環境中的設備。

元件型號 正向電壓降(Vf)
(V) 正向電流(If) (mA) 封裝 特性
NSR01F30NXT5G 30 100 DSN2 0201 低Vf
NSR02F30NXT5G 30 200 DSN2 0201 低Vf

NSR01L30NXT5G 30 100 DSN2 0201 低Ir
NSR02L30NXT5G 30 200 DSN2 0201 低Ir

更多技術資訊請瀏覽www.onsemi.com或聯繫Edwin Romero(電郵：Edwin.Romero@onsemi.com)。

關於安森美半導體(ON Semiconductor)
安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)擁有跨越全球的物流網路和強大的產品系列，是電源、汽車、通訊、電腦、消費產品、醫療、工業、手機和軍事/航空等市場客戶之首選高性能、高效能矽方案供應商。公司廣泛的產品系列包括電源、類比、數位訊號處理器(DSP)、混合訊號、先進邏輯、時脈管理、非揮發性記憶體和標準元件。公司的全球總部位於美國亞利桑那州鳳凰城，並在北美、歐洲和亞太地區等關鍵市場營運包括製造廠、銷售辦事處和設計中心的業務網路。欲查詢公司詳情，請瀏覽安森美半導體網站：www.onsemi.com。