富士通半導體成功為1Mb序列FRAM開發超小型封裝
2015年7月8日，香港商富士通半導體有限公司台灣分公司宣布成功開發及推出1 Mb FRAM (鐵電隨機存取記憶體) (註1) 的MB85RS1MT元件，並採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝 (WL-CSP)製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP(small-outline package)封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI(註2)的1 Mb FRAM變成業界最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，並提供更持久的電池續航力。
穿戴式市場是目前備受矚目的焦點，並以驚人的速度快速拓展。穿戴式市場涵蓋種類繁多，包括眼鏡和頭戴式顯示器等配件、醫療裝置如助聽器和脈搏計等，以及可記錄卡路里消耗量和運算資料的活動記錄器。而這些眾多裝置的共同點，皆為須持續的即時記錄資料。
一般的非揮發性記憶體技術，如EEPROM和快閃記憶體只能確保資料完整性最少可寫入100萬次，而富士通的FRAM技術則可將資料完整性大大提高到保證最少10兆次讀/寫次數，因此對於在儲存即時記錄資料特別理想。
為了更加利用FRAM的上述特性，富士通半導體如今為其MB85RS1MT產品線中的1Mb FRAM元件增添了全新WL-CSO封裝 (如圖一)。MB85RS1MT元件已採用業界標準的SOP封裝，然而採用WL-CSP封裝後，其體積僅3.09 × 2.28 × 0.33 mm大小，而封裝面積只有SOP封裝的23%；換言之，即能比SOP封裝的面積減少77% (如圖二)。此外，其厚度僅0.33 mm，相當於信用卡厚度的一半，而封裝體積更比SOP封裝小了95% 。
低功耗作業是FRAM眾多優點之一。相較於一般使用的EEPROM非揮發性記憶體，FRAM寫入資料的速度也比較快，因此可在寫入資料時大幅降低功耗 (如圖五)。基於此原因，為了即時記錄而需經常性寫入資料的穿戴式裝置在採用此FRAM後，可擁有更佳電池續航力和更小體積的優勢。
採用WL-CSP封裝的MB85RS1MT元件，對穿戴式裝置廠商而言則是提供更小、更薄和功能更豐富的產品，並大幅延長電力。富士通半導體以其一貫作風，持續為客戶終端產品提供兼具提升價值和實用性的產品及解決方案。
產品規格
零件編號：MB85RS1MT
記憶體密度 (組態)： 1Mb (128K字元x 8位元)
介面：SPI
運作電壓： 1.8 – 3.6伏特
保證讀/寫週期：10兆次
資料保留：10年 (85度時)
封裝：8針腳WL-CSP與8針腳SOP
詞彙與備註
- 鐵電隨機存取記憶體 (FRAM)
FRAM是一種採用鐵電質薄膜作為電容器以儲存資料的記憶體，即便在沒有電源的情況下仍可以保存資料。FRAM結合了ROM和RAM的特性，並擁有高速寫入資料、低功耗和高速讀/寫週期的優點。富士通半導體自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。
- 序列周邊介面 (SPI)
SPI 是基板上晶片之間的資料傳輸標準，是一種三線同步的序列介面。
相關連結
富士通半導體網站：http://jp.fujitsu.com/group/fsl/en/
FRAM網站：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/
MB85RS1MT：http://www.fujitsu.com/global/products/devices/semiconductor/memory/fram/standalone/1m-spi-wlp.html
MB85RS1MT數據資料：http://edevice.fujitsu.com/cgi-bin/document/document_search.cgi?LANG=EN&PARTNO=MB85RS1MT&DOCTYPES=D02,D05