意法半導體（ST）新款1200V IGBT是業界性能最佳的低頻電晶體

【台北訊，2015年6月25日】意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出S系列 1200V IGBT絕緣閘極雙極性電晶體。當開關頻率達到8kHz時，新系列的雙極元件擁有業界最低的導通及關斷耗損，大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率。

新S系列擁有當前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓（VCE(sat)），可確保更低的電壓降與最小的功率耗損，從而簡化熱管理系統。此外，正VCE(sat)溫度係數結合緊密的參數分布，不僅大幅簡化了多個電晶體的平行設計，亦滿足更大功率應用的要求。極低的電壓過衝及關機零振盪現象（zero oscillation），讓電源廠商能夠使用更簡易的外部電路及更少的外部元件。

10µs最小短路耐受時間 (達150°C初始接面溫度時) ，無鎖定（latch-up free operation）效應，擁有175°C最高接面溫度及寬廣的安全工作範圍。多項產品優勢實現了極強、穩健的耐用性與可靠性。

作為8kHz最高開關頻率硬開關拓撲的理想選擇，新款S系列採用第三代溝槽式場截止（trench-gate field-stop）型製程，使意法半導體1200V IGBT的M系列及H系列的市場佈局更加完整，M系列及H系列的產品定位分別在20kHz與20kHz以上的開關電源市場，而現在加入了新款Ｓ系列，這三大系列將成為常用開關頻率電源廠商針對先進、高能效IGBT元件的最佳選擇。

最新發佈的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個額定電流值，採用標準針腳或TO-247加長針腳封裝。全系列產品均內建最新款的穩流二極體（freewheeling diode），其擁有快速恢復與高恢復軟度，確保IGBT具有超低電磁干擾，和導通耗損。

欲知更多詳細資訊，請瀏覽www.st.com/igbt

關於意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。

意法半導體2014年淨收入74.0億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。