聯華電子與新思科技擴展14奈米FinFET夥伴關係，納入DesignWare嵌入式記憶體與測試解決方案

聯華電子（紐約證券交易所代碼：UMC；臺灣證券交易所代碼：2303）與新思科技（納斯達克交易代碼：SNPS）今日共同宣布，雙方拓展合作關 係，於聯華電子14奈米第二個 PQV 測試晶片上納入新思科技 DesignWare 嵌入式記憶體 IP 與 DesignWare STAR 記憶體系統測試與修復解決方案。此 PQV 提供了更多矽資料，可讓聯華電子進一步微調其14奈米 FinFET 製程，以實現最佳化的功耗，效能與位面積表現。雙方已成功設計定案了第一個聯華電子14奈米 FinFET 製程 PQV，包含了新思科DesignWare邏輯庫與StarRC™寄生電路抽取工具 (parasitic extraction tool)，而此次 PQV 則繼續拓展夥伴關係。

新思科技 IP 暨原型建造行銷副總裁 John Koeter 指出：「新思科技與聯華電子擴展的合作關係展現了雙方共同的目標，也就是協助晶片設計公司在聯華電子製程上，將我們的 DesignWare 矽智財結合到其系統單晶片設計上。現已有超過45顆 FinFET 測試晶片設計定案 (tapeout)，新思科技將持續傾全力致力於為 FinFET 製程提供高品質矽智財，使晶片設計公司能夠降低整合風險，並加速量產時程。」

聯華電子矽智財研發暨設計支援副總王國雍表示：「除了研發業界具競爭力的14奈米製程，以滿足當今最尖端晶片應用產品的需求外，聯華電子現正致力於 建構相當完整的全方位支援架構，藉此加速14奈米客戶 design-in 的速度。繼聯華電子與新思科技於14奈米製程上成功驗證 PQV 後，很高興在我們最先進的製程上與新思科技優質的 DesignWare 矽智財繼續拓展合作。我們期待將這份夥伴關係所帶來的好處提供給雙方客戶，協助採用14奈米進行設計的客戶，能獲得功耗，效能與成本上的優勢。」

供貨情況

聯華電子14奈米 FinFET 製程已展現了卓越的 128mb SRAM 良率，預期於2015年底接受客戶設計定案(tape-out)。