安森美半導體擴展至高性能、高密度 功率整合模組(PIM)市場

2015 年 5 月 19 日-推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，推出最先進的80安(A)功率模組(PIM)，具領先業界的性能，用於要求嚴格的不間斷電源(UPS)、工業變頻驅動器和太陽能變頻器等應用。

NXH80T120L2Q0PG PIM採用安森美半導體的專屬溝槽第二代場截止技術(FSII)及穩固的超快迅速恢復二極體，配置為1200伏(V)、80 A半橋和600 V、50 A中點鉗位元式T型拓撲結構，達到超過98%的能效。可配置的封裝平台採用大功率直接鍵合銅(DBC)基板技術及專有的壓合(press-fit)引腳，為客戶提供高性能和可靠的功率模組方案。

安森美半導體擴展至PIM市場，源自於三十多年的開發汽車點火IGBT和智慧功率模組(IPM)的經驗。NXH80T120L2Q0PG PIM運用安森美半導體豐富的封裝專業知識，接面溫度為175 °C，完全符合最高行業可靠性標準。此外安森美半導體的模組方案為客戶提供完全一體化的硅和封裝供應鏈，確保高品質和成本效益。

安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：「功率整合模組(PIM)是我們功率願景的關鍵性一環，使我們能擴展至更高功率的工業和汽車市場。這新的、極其穩固的功率模組平台應證我們投入於提供全面的功率分立和模組方案的產品陣容，使客戶能滿足他們的高效能、高功率密度方案的需求。」

封裝和定價

NXH80T120L2Q0PG採用Q0PACK封裝(尺寸65.9 mm x 32.5 mm x 11.75 mm)。每1,000片批量的單價從30.00美元起。