TI 發布業界第一款 80 V 半橋 GaN FET 模組

(台北訊，2015年3月17 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出了業界第一款 80 V、10 A 整合氮化鎵 (GaN) 場效應電晶體 (FET) 功率級原型，此原型由一個高頻驅動器和兩個採用半橋配置的 GaN FET 組成—這些均在一個設計簡單的四方平面無接腳 (QFN) 封裝內。如需瞭解更多資訊，敬請參訪 www.ti.com/lmg5200-pr-tw。

全新的 LMG5200 GaN FET 功率級將有助於加快下一代 GaN 電源轉換解決方案的市場化，此方案在空間受限、高頻工業應用和電信應用中提供更高的功率密度和效率。此功率級將成為 48 V 數位電源示範的一大亮點，在本月 16 日至 18 日北加州夏洛特市召開的應用電源電子展覽會 (APEC) 上進行介紹 (第 1001 號展位) ，歡迎到 www.ti.com/APEC15 追蹤 TI 的最新消息。

TI 高壓電源解決方案業務部副總裁 Steve Lambouses 表示，GaN 型電源設計的一大障礙曾經是與驅動GaN FET有關的不確定性，以及由封裝方式和設計配置佈線所導致的寄生效應。TI 將提供採用先進、易於設計封裝的經優化整合模組、驅動器和高頻控制器所組成的完整、可靠電源轉換生態系統給設計人員，幫助他們認識 GaN 技術在電源應用方面的全部潛能。

實現 GaN 的優勢

一般情況下，使用 GaN FET 在高頻下進行開關的設計人員必須謹慎對待電路板配置佈線，以避免振鈴和電磁干擾 (EMI)。TI 的 LMG5200 雙 80 V 功率級原型機極大地簡化了這個問題，而同時又透過減少關鍵閘極驅動迴路中的封裝寄生電感來增加功率級效率。LMG5200 特有進階多晶片封裝技術，並且在經優化後能夠支援頻率高達 5 MHz 的電源轉換拓撲結構。

易於使用的 6 mm x 8 mm QFN  封裝無需底部填充，進而大大簡化了生產製造過程。縮小的封裝尺寸更加充實了 GaN 技術的應用價值，並且有助於將 GaN 電源設計應用於許多全新應用，從高頻無線充電應用到 48 V 電信和工業設計。如需瞭解 TI 完整 GaN 解決方案相關的更多資訊，敬請參訪 www.ti.com/gan-pr-tw。

LMG5200 的特性和優勢：

  • 最高功率密度:首款整合 80 V 半橋 GaN 功率級相較於矽工藝型的設計，其功率損耗可低 25%，進而實現單級轉換；
  • 增加可靠性的綜合 GaN 專用品質保證計畫: 如需瞭解更多內容，請按此處；
  • 關鍵閘極驅動迴路中的最低封裝寄生電感增加了功率級效率並在減少 EMI 的同時提高 dV/dt 抗擾度；
  • 經簡化的配置佈線和可製性: 易於使用的 QFN 封裝免除了底部填充的需要，以解決高電壓間隔方面的顧慮，進而提高電路板的可製性並降低成本。

工具和軟體

除了訂購已上市的 LMG5200 評估模組，設計人員使用針對 LMG5200 的 PSpice 和 TINA-TI 模組來模擬這項技術的效能和開關頻率優勢，以便更快地開始設計工作。

供貨情況和價錢

目前可在 TIStore 中購買 GaN 功率級的原型機樣品。LMG5200 建議售價為每個 50 美元，最多購買數量以 10 個為限。LMG5200 評估模組同樣販售中，建議售價為 299 美元。

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關於德州儀器

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