意法半導體（ST）推出全新M 系列 IGBT，有效提升太陽能及工業電源的能效與可靠性

【台北訊，2014年12月11日】意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出全新M系列1200V IGBT，以先進的溝槽式場截止（trench-gate field-stop）技術為特色，有效提升太陽能逆變器（solar inverters）、焊接設備（welding equipment）、不斷電系統（uninterruptible power supplies）與工業馬達驅動器等多項應用的能效與可靠性。

高度最佳化的傳導性與關斷性以及低導通耗損（low turn-on loss），讓全新進化的IGBT特別適合用於執行頻率高達20kHz的硬式開關電路（hard-switching circuit）；可承受的最高工作溫度提高至175°C，寬安全工作範圍（SOA，safe operating area）無鎖定（latch-up free）效應，150°C時的短路耐受時間（short-circuit withstand time）為10µs，這些特性確保新產品在惡劣的外部電氣環境中具有更高的可靠性。

新產品所使用的第三代技術包括新的先進溝渠式結構設計和最佳化的高電壓IGBT架構，可最大幅度地降低電壓過衝（voltage overshoot）、消除關機期間常出現的振盪現象（oscillation），有效減少了電能的耗損並簡化電路設計。在此同時，低飽和電壓（Vce（sat））可確保新產品具有很高的傳導效率、正溫度係數與窄飽和電壓範圍可簡化新產品的平行設計，有助於提高功率處理性能。

新產品還受益於經提升的導通效率。此外，新產品與IGBT反向平行（anti-parallel）的新一代二極體一同封裝，帶來快速的恢復時間和更佳的軟度回復特性且不會使導通耗損明顯上升，進而實現更出色的EMI性能表現。

40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款產品採用標準的 TO-247 封裝，STGWA40M120DF3、 STGWA25M120DF3 和 STGWA15M120DF3 三款產品採用 TO-247長針腳封裝，目前均已開始量產。

欲了解更多詳情，請瀏覽www.st.com/igbt

關於意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。

意法半導體2013年淨收入80.8億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。