新型IDT混頻器降低失真，節省30%電力消耗

【2014年11月11日，台北訊】供應關鍵混合訊號半導體方案的領先類比與數位公司IDT® (納斯達克股票代碼：IDTI) 今天發表一款新型低失真、低耗電的射頻(RF)混頻器，將降低失真的射頻科技帶入LTE與TDD系統，同時將耗電降至最低。最新加入IDT快速成長系列射頻產品F1178，改善三階截取點達8dB，並且與同級混頻器相比降低30%耗電。

身為IDT的雙混頻器“零失真”家族成員之一，IDT F1178是一個高效能的混頻器供射頻(RF)至中頻(IF)用，設計用於單一的5伏特電源操作。將混頻器提至最佳化，供操作射頻頻寬從3300至3800MHz的接收器用。此晶片非常適合用於基地台射頻卡、中繼器、分散式天線系統及微波後端設備用。

極低耗電紓解了射頻卡上的散熱要求，並且超高的IP3可以允許具有高增益的前端設備。F1178提供使用恆定低阻抗電源啟動的快速設置，讓客戶在TDD Rx插槽之間關閉混頻器電力，進一步降低耗電。

“在眾所期待中，我們大受歡迎的雙混頻器系列加入此產品，提供給有賴我們快速地部署3.5GHz頻寬解決方案之要求高性能的客戶。藉著這個超低IM3失真，F1178可以大幅增進射頻卡的性能”，IDT的無線產品定位與行銷資深處長Chris Stephens說“藉著F1178雙混頻器，客戶可以使用較高的射頻增益，操作他們的系統來改善訊號雜訊比，而仍然維持優異的IM3失真，就像是他們在較低頻率的頻寬上使用我們的混頻器所做的一樣。”

F1178提供：

• 超過44dB優異的通道隔離
• 供TDD系統用的快速設置降低電力模式
• 射頻範圍從3300至3800 MHz供42與43頻寬用
• 9.0 dB增益
• 超線性+38 dBm 三階截取點
• 低雜訊9.0 dB (NF)
• 200歐姆輸出阻抗
• 高 +10.7 dBm P1dBI
• 接腳與IDT較低頻率的雙混頻器相容
• 低耗電，低於1.4瓦

供貨情況

上述元件供合格客戶試樣。