安森美半導體與 Transphorm合作提供領先業界能效的氮化鎵(GaN)之電源系統方案

2014年9月29日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)與功率轉換專家Transphorm宣佈已建立了新的合作關係，共同開發並共同推廣基於氮化鎵(GaN)的產品和電源系統方案，用於工業、電腦、電信及網路領域的各種高壓應用。

這策略合作充分發揮兩家公司固有的實力。Transphorm是公認的第一家將600伏(V)GaN矽晶體管量產通過授證的公司，於此先進技術有無與倫比的經驗。安森美半導體是一家領先的高能效電源方案供應商，在系統設計具備深厚的專業知識和技術，提供完整的系列產品，包括功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成開關穩壓器到全定制專用集成電路(ASIC)電源管理方案。

GaN在電源應用已證明能提供優於矽基器件的重要性能優勢。安森美半導體和Transphorm合作開發的新世代封裝產品將提供可靠及授證的方案，令工程師實現前所未有的高能效和功率密度水準。

安森美半導體標準產品部執行副總裁兼總經理賀彥彬(Bill Hall)說：「安森美半導體瞭解GaN技術可帶給功率電子市場的固有優勢，我們非常高興與這領域公認的領袖合作，此外我們也有自己的GaN開發工作。這項新的重要合作，在策略上結合了我們可觀的電源系統方案實力及Transphorm的GaN專業知識和技術。我們的合作能夠增強客戶對此新技術的信心，及加速它廣泛的市場採納。」

Transphorm首席執行官(CEO) Fumihide Esaka說：「跟像安森美半導體這樣的領先電源半導體公司合作，確認了Transphorm在GaN的領先地位，將為我們客戶提供更完整的基於GaN的產品及方案。我們的合作不僅對加快GaN的市場滲透具有重要作用，並對整個電源轉換行業意義深刻。」

首批共同開發的基於600 V GaN晶體管方案預計將於2014年底前開始提供樣品。這些方案將用於200 W至1000 W功率範圍的高功率密度應用，用於電信及伺服器市場的緊湊型電源。根據合作條款，共同開發的封裝晶體管產品將包括安森美半導體的用於共源共柵(cascoded)開關的低壓MOSFET矽片，及Transphorm的獲得證明的GaN高壓高電子遷移率電晶體(HEMT)。這些設備將在安森美半導體的製造廠聯合封裝、組裝及測試。

我們將提供給客戶電源系統參考設計，使他們能夠應用包含GaN晶體管和高性能AC-DC控制器的新方案，以充分利用GaN器件的技術優勢。

關於安森美半導體

安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)致力於推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、離散及訂製方案陣容，幫助設計工程師解決他們在汽車、通訊、電腦、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰。公司運營敏捷、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括製造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網路。更多資訊請訪問http://www.onsemi.com。