IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN頂部外露功率區塊元件

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴充功率區塊元件系列。新款25V元件在25A的電流下能夠比其他頂級的傳統功率區塊產品減少5%以上的功率損耗，適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電 (Ultrabook) 及筆記型電腦等12V輸入DC-DC同步降壓應用。

IRFHE4250D配備IR新一代矽技術，並採用了適合背面貼裝的6×6 PQFN頂部外露纖薄封裝，為功率區塊帶來更多封裝選擇。這款封裝結合了理想的散熱效能、低導通電阻 (Rds(on)) 及閘極電荷 (Qg)，提供超卓的功率密度及較低的開關損耗，從而縮減印刷電路板尺寸，以及提升整體系統效率。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「60A額定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET為全球首款頂部外露功率區塊元件，提供行業領先的功率密度，有效滿足要求頂尖效率的高效能DC-DC應用。」

與IR其他功率區塊元件一樣，IRFHE4250D可與各種控制器或驅動器共同操作，以提供設計靈活性，同時以小的佔位面積實現更高的電流、效率和頻率，還為IR功率區塊元件帶來全新6×6 PQFN封裝選擇。

IRFHE4250D符合工業級標準及第二級濕度敏感度 (MSL2) 標準，並採用了6×6 PQFN頂部外露封裝，備有符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的環保物料清單。

規格

產品現正接受批量訂單，數據資料已在IR的網站http://www.irf.com供應。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)

國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的類比和混合訊號IC及其他先進功率管理元件可用來驅動高效能運算，且為廣泛的商業和消費者應用節省能源 。世界上有不少著名的電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航空和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步瞭解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。