baSiC-T：實現大規模生產碳化矽晶體的全新系統

德國 WETTENBERG 2013年10月1日電 /美通社/ —

• 碳化矽可用於高性能電子產品
• 成功用於工業生產
• 實現大規模生產的高度自動化
• 低營運成本

碳化矽可用於高性能電子產品

碳化矽晶體主要迎向高科技市場中的客戶。典型的應用領域包括混合電動力與電動車、空調系統、LED 應用、光伏用直流/交流轉換器等高性能電子產品。碳化矽材料的主要優勢在於具有巨大的節能潛力，較傳統的矽元件可節能多達40%。除此之外，其未來在於為半導體產業帶來全新的發展前景，因為該產品還可在高溫和1萬伏以上高壓條件下使用；這種產品的發展潛力遠遠超過目前所使用的矽產品。

模組化結構和高度自動化

創新型矽晶化系統 baSiC-T 的設計是以模組化理念為基礎，並支援使用直徑多達150毫米的矽基底。baSiC-T 營運成本低且自動化程度高，這推動碳化矽實現經濟型大規模生產。

成功用於工業生產

用於生產碳化矽晶體的系統已經交付至歐洲和亞洲數家客戶並獲得了良好的認可，這表示該系統性能卓越。

瞭解 baSiC-T 的詳情，請參訪：http://www.pvatepla.com/en/products/crystal-growing-systems/pva/sic-(htcvd-htcvt)/typ-basic-t

PVA TePla 進軍電力電子產業

除了 baSiC-T 以外，PVA TePla 的其它一系列設備已經用於電力電子產業。其中SiCube 是採用 PVT 和 HTCVD 方式對碳化矽晶體進行量產並通過工業化測試的系統。該公司的 Floatzone (FZ35) 和 Czochralski (EKZ) 系統目前用於高純度矽單晶長晶技術。而在專用的 PVA TePla 真空爐 中，可以對氮化鎵磊晶製程中使用的Susceptors 實現回收利用 。子公司Metrology Technologies的多種創新量測技術提供非破壞性品質控制。