GLOBALFOUNDRIES 推出先進 55nm CMOS 邏輯製程， 採用ARM下一代記憶體和邏輯IP，適合低電壓應用

【2013年2月20日，台北訊】GLOBALFOUNDRIES 今日宣佈將公司的 55 奈米 (nm) 低功率強化 (LPe) 製程技術平台持續向上提升，推出具備 ARM 合格的新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是業界首創唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實體 IP 資料庫的先進製程節點，可讓晶片設計人員使用單一製程，在單一系統單晶片(SoC) 下支援兩種操作電壓。

GLOBALFOUNDRIES 產品行銷部副總裁 Bruce Kleinman 表示：「這款 55nm LPe 1V 產品最主要的優點是，無論是要設計 1.0V 或 1.2V 的電源選項，都能使用相同的設計資料庫。也就是說，只需要採用同一套的設計規則和模式，無需額外的光罩層或特殊製程。如此不只可降低成本，提高設計彈性，更能維持一致的電源和最佳化功能。」

GLOBALFOUNDRIES 的 55nm LPe 1V 採用 ARM 的 1.0V/1.2V 標準晶胞和記憶體編譯器，方便設計人員將速度、電源及/或面積等設計最佳化，尤其對在系統單晶片解決方案的設計上受到電力限制的設計人員來說更為有利。

GLOBALFOUNDRIES 的先進 55nm LPe 製程，為結合 ARM 所提供完整經過矽晶片驗證的 8-track、9-track 和 12-track 資料庫平台，加上高速和高密度的記憶體編譯器。

ARM 實體 IP 部門行銷副總 John Heinlein 博士表示：「1V 和 1.2V 作業的整合，加上支援級的位移邏輯，將是低功率、高效能和小晶片面積的最佳組合。雙電壓域特性支援，搭配 Artisan 新一代記憶體編譯器架構，相較於前一代解決方案，能減少 35% 以上的動態及漏電功率。」

55nm LPe 1V 尤其適用於大量、採電池供電的行動消費性裝置，還有各種環保或節能產品。產品開發套件和電子設計自動化工具現已供應，同時也提供晶圓共乘(MPW Shuttle)。

Artisan 記憶體提供彈性的製程選項，全球出貨量高達數十億組。延續 Artisan 65nm 至 20nm 實體 IP 平台的多樣化系列，這些新一代記憶體內含低電壓和待機模式，能夠延長電池壽命，提供可將處理器速度提升至最高的超高速快取記憶體，同時也採用專利設計技術，縮小低成本系統單晶片的設計面積。

關於GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES 是世界第一間真正擁有全球性生產技術經驗，且能提供全方位服務的半導體代工廠。自 2009 年 3 月成立後，迅速發展為全球規模最大的代工廠之一，為150 家以上的客戶提供結合先進技術與製程的獨特產品。隨著公司在新加坡、德國及美國的營運，GLOBALFOUNDRIES 是唯一跨越三大洲為製造中心提供彈性與安全性的代工廠。該公司三座 300mm 晶圓廠與五座 200mm 晶圓廠，提供從主流到頂尖的全方位製程技術。分佈於美國、歐洲及亞洲的半導體中心一流的研發與設計設備為公司提供製程支援。 GLOBALFOUNDRIES 為 Advanced Technology Investment Company (ATIC) 所持有。詳細資訊請瀏覽：http://www.globalfoundries.com。