SanDisk領先業界發表 體積最小32奈米快閃記憶體技術

2009年2月12日，台北━全球快閃記憶體供應商領導品牌SanDisk®（NASDAQ:SNDK）與東芝合作推出採用32奈米（nm）製程技術所生產的32-gigabite (Gb) 3-bits-per-cell (X3) 多層電路元 (Multi-Level Cell，簡稱MLC) 快閃記憶體晶片，助益以低成本生產高容量儲存記憶卡及固態硬碟等產品。

SanDisk共同創辦人兼總裁Sanjay Mehrotra表示 ：「SanDisk在推出56奈米3-bits-per-cell的第一代產品後一年半，即開發出第三代32奈米3-bits-per-cell技術，展現身為業界領導者具備的快速研發能力。同時，憑藉此創新技術，讓SanDisk更能以經濟的成本，提供更多兼具高容量及時尚外觀的產品，不僅助於拓展各產品線，更突顯SanDisk提供給消費者卓越技術與創新的堅持。」

32奈米 X3 技術—microSD相關產品的最佳選擇
32奈米32Gb X3技術是目前業界體積最小的快閃記憶體晶片，適用於手機和其他消費性電子產品中，僅有指甲大小的microSD™記憶卡。業界密度最高的32奈米 32Gb microSD記憶卡，以與43奈米相同的模組，提供比其高出兩倍的容量。32奈米製程以及其電路設計的領先技術為成就113mm2 晶片規格的關鍵要素，並以SanDisk All-Bit-Line （ABL）專利架構提升X3的讀寫效能。

SanDisk OEM業務部暨企業工程執行副總裁Yoram Cedar表示 ：「32奈米 X3晶片的小巧體積和令人難以置信的密度，促使高容量microSD的誕生。隨者日益增長的行動電話儲存需求，microSD的尺寸大小也成為消費者選購的要點，而X3技術將是使我們為市場注入新產品的重要因素。」

關於SanDisk核心技術
32奈米是業界迄今最先進的快閃記憶體製程技術，它需要先進的解決方案來管理在規格上的變化。結合數種創新技術的32奈米製程晶片，與摩爾定律中的其他趨勢線相較之下，其模組區域大幅減小。

SanDisk儲存技術部副總裁Klaus Schuegraf表示 ：「SanDisk成功的以43奈米浸沒式光刻技術部署間隙壁工藝，不需增加昂貴的光刻設備下，完成32奈米製程技術，SanDisk將其領先業界的64-bit NAND串長帶到32奈米，並採用創新的程式演算法和系统設計彌補位與位之間的甘擾影響（bit to bit）。」

SanDisk和東芝在2009國際固態電子電路會議 (International Solid State Circuits Conference; ISSCC) 中攜手發表32奈米 32Gb X3 NAND快閃記憶體；強調可發展出32奈米的創新技術。32奈米32Gb X3預計在2009年下半年開始投產。

關於 SanDisk
快閃儲存卡創始企業及全球最大供應商 SanDisk 公司為快閃記憶技術之研發、製造、產品設計、消費品牌與零售配銷之全球龍頭廠商。SanDisk 產品陣容包含手機、數位相機與錄放影機用快閃記憶卡、數位影音播放器、消費及商用 USB 隨身碟、行動設備之嵌入式記憶體以及電腦固態硬碟。SanDisk 為 S&P 500 企業 (www.sandisk.com/corporate)，總部設於美國加州矽谷，其一半以上的營業額來自美國以外市場。