Diodes新型 MOSFET晶片高度減少50%

台灣 — 5月2日— Diodes 公司近日推出了一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm²，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類型元件薄50%。同系列的另一款採用DFN2020E封裝的MOSFET具有0.5mm離板高度，較其他一般離板高度為0.6mm的MOSFET薄20%。

DMP2039UFDE4針對負載開關應用，為電路設計人員提供3kV的電路保護，以免被人體所發出的靜電放電所影響。這些最新推出的MOSFET擁有低典型RDS(on) 的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13mΩ，把電池充電應用的損耗減至最少。

20V N通道的DMN2013UFDE在DC/DC降壓和升壓轉換器內，達到理想的負載開關或者高速開關，並且提供一個2kV高靜電放電保護額定。DMN6040UFDE將會是首批採用DFN2020封裝的高電壓MOSFET之一，可在60V的VDS 下運作，並適合小型化(Small form-factor)工業及熱通風與空氣調節系統 (HVAC) 控制使用。

新產品特別適合薄型可攜式產品設計，例如智慧型手機、平板電腦和數位照相機。九款MOSFET的首批系列包括-12V、-20V、-25V、-40V的P通道MOSFET和12V、20V及60V的 N通道MOSFET。

有關進一步的產品資訊，請瀏覽www.diodes.com。

Diodes簡介

Diodes Incorporated為標普小型股600指數 (S&P SmallCap 600 Index) 及羅素3000指數公司，活躍於全球離散、邏輯及類比半導體市場，致力製造及供應優質的特殊應用標準產品，服務消費性電子、電腦、通訊、工業及汽車等不同市場。Diodes的產品包括二極體、整流器、電晶體、MOSFET、保護設備、特殊功能陣列、單閘邏輯、放大器和比較器、霍爾效應及溫度應傳感器，以及涵蓋LED驅動器、直流-直流切換和線性穩壓器、電壓參考的功率管理元件，以至USB電源開關、負載開關、電壓監控程式及馬達控制器等特殊功能元件。

Diodes公司總部、物流辦事處及美國業務辦事處位於美國德州普萊諾市，在普萊諾、聖荷西、台北、英國和德國設有設計、行銷及研發中心；在密蘇里州坎薩斯城及英國曼徹斯特設有晶圓製造廠；在上海設有兩所製造廠、在德國諾伊豪斯設有一所，另於成都設有合資廠房；在台北、香港及曼徹斯特設有研發、業務、倉庫及物流辦事處；並在世界各地設有業務與支援辦事處。

有關進一步的詳盡資訊，包括美國證監會存檔，可瀏覽該公司網站，網址為www.diodes.com。