SuVolta 發表 PowerShrink 平面CMOS 平台，大幅降低積體電路功耗
【100年 6 月 23 日，台北訊】SuVolta, Inc.今日推出 PowerShrink™ 低功耗平台。SuVolta PowerShrink™平台降低 CMOS IC 功耗達到兩倍以上，同時維持效能並提升產量。SuVolta 與富士通半導體有限公司 (Fujitsu Semiconductor Limited) 於日前發表聯合聲明，富士通已獲得授權使用 SuVolta 創新的 PowerShrink™低功耗技術。
PowerShrink™低功耗平台包含SuVolta的Deeply Depleted Channel™ (DDC) CMOS 電晶體技術，以及充分利用DDC電晶體特性的優化DDC電路與設計技術。該平台使供應電壓下降30%以上，動態功耗降低一半以上，同時維持性能並可降低漏電功耗 80%以上。這些優勢適用於範圍廣泛的積體電路 (IC)產品，包括處理器、SRAM 及 SOC，皆對現今的行動產品非常重要。
Cypress Semiconductor創始人、總裁、執行長暨總監T.J. Rodgers 表示：「行動應用在現今已逐漸成為主流，功耗和成本是半導體製程技術規模的主要限制。SuVolta的創新研發，可顯著降低 CMOS 電晶體主動及漏電功率。透過緊縮臨界電壓的變化，同時維持在低供應電壓的性能，SuVolta 平台延伸了平面基材 CMOS 製程及產品的使用壽命，避免了昂貴且複雜的技術，如超紫外光 (EUV) 微影技術、FD-SOI 或 FinFET 元件。此外，該技術使公司能夠保持和擴大已發展多年的 IP 區塊。」
SuVolta 展示了可運作於 0.5 伏特以下的大型 SRAM 模組，從而證實了 DDC 電晶體允許電路功能運作於VDD降低遠超過30% 的條件下。此 0.5 伏特以下的操作電壓是 65 奈米 CMOS 技術最低的報告之一，顯著低於使用傳統 CMOS 技術的典型 SRAM 的最小操作電壓 (VDD-min) 0.8 伏特或更高。
SuVolta 的Deeply Depleted Channel™ (DDC) 電晶體技術
控制功耗是增加 IC 產品功能及擴充半導體製程技術的關鍵要素。SuVolta 的DDC電晶體採用獨特的通道結構，相較於傳統的電晶體技術，具有低功耗運作的顯著效益。藉由降低臨界電壓 (VT) 變化至50%，可降低DDC 電晶體供應電壓 (VDD) 30%以上，同時維持相同的系統時脈速度並降低整體漏電。藉由增加通道遷移率，增加對 DDC 電晶體驅動電流 (Ieff) 10% 以上。此外，DDC 電晶體能夠藉由大幅增加的基體係數，透過基體偏壓更有效管理臨界電壓。
SuVolta 技術長 Scott Thompson 表示：「截至目前為止，半導體製程技術創新主要著重於提高效能。但現今半導體最大的問題並非效能，而在於功耗。SuVolta 藉由大幅降低電晶體臨界電壓變化來解決功耗問題，也因此促成了供應電壓的降低。SuVolta 的 DDC 次微米技術解決臨界電壓控制，限制隨機及其他來源的摻雜擾動，同時提高載子遷移率和減少器件電容，以維持低電源時的電路速度。」
相容於現有的晶圓廠及設計流程，更容易採用
SuVolta PowerShrink™低功耗平台相容於目前製造及設計基礎架構。SuVolta 的 DDC 電晶體使用現有的 CMOS 設計規則及製造流程，因為不需要新設備或新材料，可於現有的晶圓廠製造。SuVolta 的 PowerShrink 平台還使用傳統的設計工具及設計流程。
SuVolta 的電路及設計技術利用 DDC 電晶體的獨特特性，比傳統的電晶體更能有效管理 VT，藉此進一步降低功耗。適性基體偏壓可用來修正系統所製造的變化，從而進一步降低 VT 的變化和提升良率。動態基體偏壓可用來減低溫度和老化效應，同時讓功率模式於極低的電源運作下更有效率。
SuVolta 總裁暨執行長 Bruce McWilliams 博士表示：「功耗已成為許多功能的限制因素，這些功能可運用在行動運算裝置，如智慧型手機、平板電腦及筆記型電腦。降低半導體功耗的益處，已遠遠超過應用及產品所能發展的範圍。SuVolta 非常榮幸能夠提供業界技術平台，促進持續擴大平面基材 CMOS 技術的可行性。」
關於 SuVolta, Inc.
SuVolta, Inc.開發並授權半導體技術，能夠顯著降低IC功耗，同時維持性能。SuVolta, Inc. 位於矽谷且擁有世界級工程師和科學家的團隊成員，具有歷史悠久的技術開發和創新以提升半導體業發展。公司投資者包括領導市場的創投公司Kleiner Perkins Caufield & Byers (KPCB)、August Capital 及 NEA。詳細資訊請造訪 www.suvolta.com。