美國國家半導體推出業界首款針對增強型氮化鎵功率FET的100V半橋閘極驅動器

二零一一年六月二十一日 – 台灣訊 — 美國國家半導體公司（National Semiconductor Corp.）（美國紐約證券交易所上市代碼：NSM）宣佈推出業界首款針對高電壓電源轉換器增強型氮化鎵（GaN）功率場效應電晶體（FET）而最佳化的100V半橋閘極驅動器。 美國國家半導體新推出的LM5113是一款高整合high-side和low-side GaN FET驅動器，與使用離散驅動器的設計相比，其可減少75％的元件數量，並還能縮小多達85％的印刷電路板（PCB）面積。

磚式電源模組和通訊基礎設備的設計人員需要以最小的外形尺寸實現更高的功效。 與標準金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）相比，由於具有較低的導通電阻（Rdson）、閘極電荷（Qg）以及超小的尺寸，增強型GaN FET可以實現更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅動這類元件也面臨著新的重大挑戰。 美國國家半導體LM5113驅動器積體電路解決了這些挑戰，使電源設計人員能夠在各種普及的電源拓樸結構中發揮GaN FET的優勢。

為滿足增強型GaN FET嚴格的閘極驅動要求，我們需要多個離散裝置、重要的電路以及PCB設計工作。 美國國家半導體LM5113完全整合增強型GaN FET驅動器大大減少了電路數量和簡化PCB設計工作，並實現了業界最佳的功率密度和效率。

宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion Corporation)共同創辦人兼執行長Alex Lidow表示：「美國國家半導體的LM5113橋式驅動器協助設計人員簡化設計以發揮eGaN® FETs的效能。 與等效MOSFET的設計相比，LM5113大大減少了元件數量，與我們的eGaN FETs配合使用，可以大幅縮小PCB面積，實現更高的功率密度水準。」

LM5113橋式驅動器的技術特色

美國國家半導體LM5113是一款針對增強型GaN FET的100V橋式驅動器。 該驅動器採用專有技術，可將high-side浮動靴帶式電容電壓調節到大約5.25V，以驅動增強型GaN功率FET並達到最佳化，而不會超過最大閘極源額定電壓。LM5113還具有獨立的匯入/輸出，可實現靈活的導通強度和關閉強度。0.5歐姆的低阻抗下拉路徑為低臨限電壓增強型GaN功率FET提供了一種快速、 可靠的關閉機制，有助於讓高頻電源設計的效率達到最大。LM5113整合了一個high-side靴帶式二極體（bootstrap diode），進一步縮小PCB面積。LM5113還為high-side和low-side驅動器提供了獨立的邏輯輸入，因此可靈活運用於各種隔離式和非隔離式電源拓樸結構。

若欲瞭解更多資訊，可流覽網頁 http://www.national.com/pf/LM/LM5113.html。

封裝、價格及供貨情況

美國國家半導體的LM5113採用10接腳LLP封裝，尺寸大小只有4mm × 4mm。 採購都以1,000顆為單位，單顆售價為1.65美元。 現已可提供樣品，並將於九月份量產。

美國國家半導體的網上圖片資料室備有這些產品的高清晰度相片以供下載，該圖片資料室的網址為 http://www.national.com/news/images/LM5113_Photo_300_CHS.jpg。

美國國家半導體公司簡介

美國國家半導體是一家居領導地位的電源管理技術開發商，一直致力為市場提供各種簡易使用的類比積體電路，而且擁有世界級的供應鏈管理技術及經驗，備受業界推崇。 該公司的高效能類比產品可以提高系統的能源效率，因此極受客戶歡迎。 美國國家半導體的總公司設於美國加州聖塔克拉拉（Santa Clara），2011 年會計年度的營業額達 15.2 億美元。 有關美國國家半導體公司的其他資料，可流覽網頁 www.national.com。