IDT發表全球最高精度的全矽晶CMOS振盪器
【台北訊，2010年10月22日】提供關鍵混合訊號（mixed signal）半導體元件以豐富數位媒體功能與使用經驗的領先半導體解決方案供應商IDT®（Integrated Device Technology, Inc.；NASDAQ: IDTI），今日發表業界最精確的全矽晶CMOS振盪器，於溫度、電壓，和其他因素方面，達到領先業界的100ppm整體頻率誤差。
IDT3C02振盪器採用IDT CMOS振盪器專利技術，以100ppm以下頻率精確度的單晶體CMOS IC取代以石英晶體為基礎的振盪器，不需使用任何機械頻率源或PLL就能擁有超薄的外型設計。此產品是特別針對下一代儲存、數據通訊，和連接介面而設計，例如1Gb乙太網路、SAS、SuperSpeed USB（USB 3.0），和PCI Express等。IDT3C02為一般用途的石英晶體振盪器提供一個低功耗、低訊號抖動的替代方案，成為伺服器、企業設計，以及配備乙太網路埠之數據通訊裝置的理想方案。
IDT副總裁暨通訊部門總經理Fred Zust表示：「IDT3C02以低於100ppm的整體頻率誤差，創下時脈產業的重大突破。它提供一個優於晶體方案的理想選擇，擴充今年稍早前發表的晶圓形式全矽晶CMOS振盪器範疇，並拓展IDT時脈技術的領導地位。」
IDT3C02振盪器在晶片上產生高精度的頻率，而不需仰賴壓電（piezo-electric）或機械式諧振器（mechanical resonator）。該元件採用現有的標準CMOS製程，利用可編程架構且支援多種不同組態選項，以符合廣泛的應用需求。其中最關鍵的選項或許是由工廠進行程式設定的作業頻率，相較於傳統的石英解決方案，此元件擁有較短的交貨時間，並且包含獨特或少見的頻率。
此外，IDT3C02振盪器採用一個獨特的類比核心設計，僅消耗不到2.5mA （unloaded，typical），因此成為高頻石英和以PLL為基礎振盪器的一種低功耗替代方案，同時提供同級產品最好的-140dBc/Hz相位雜訊（在偏移中心載波頻率1MHz處）。該元件提供業界標準石英晶體5×3.2mm相容封裝，但免除了密封陶瓷封裝的必要，改採低成本的薄型MSL1 plastic IC封裝。
IDT3C02亦提供200nA（typical）低功耗待機模式，以及100us（typical）的快速啟動時間。這些功能的組合讓其成為相當注重功耗設計的理想選擇，並允許經常性的電力循環以進一步節省功耗。由於該元件並未包含移動元件，並且是以電子方式產生頻率而非採用機械或壓電諧振器，因此這個全矽晶單晶體設計具備絕佳的撞擊與震動耐受性。
供貨時程
IDT3C02目前已開始為特定客戶供應5×3.2mm封裝樣本。更多詳細資訊請參觀：www.idt.com/go/CMOS-Oscillators。
關於IDT
IDT（Integrated Device Technology, Inc.）身為類比與數位公司，結合其在類比與數位領域的專業，提供系統層級的創新，以豐富消費者應用及增強使用者經驗。IDT運用其在時脈、序列交換，和介面的市場領先專業技術，並融入類比和系統專業知識，為通信、運算，和消費性市場提供完整的應用最佳化和混合信號解決方案。IDT總公司位於加州聖荷西，其設計、製造與銷售據點遍及全球。IDT在NASDAQ全球精選市場（Global Select Market®）掛牌交易，代號IDTI。詳細公司資訊請參觀www.IDT.com。