IDT推出領先業界支援DDR3記憶體模組的低電壓暫存器

【台北訊，2008年7月24日】提供關鍵混合訊號(mixed signal)半導體元件以豐富數位媒體功能與使用經驗的領先半導體解決方案供應商IDT® (Integrated Device Technology, Inc. ; NASDAQ: IDTI)，宣佈推出業界第一個能夠為高效能伺服器和工作站提供標準與低電壓作業支援的暫存時脈驅動器(registered clock driver)，以延伸其在Double Data Rate 3 (DDR3)記憶體介面元件的領導地位。IDT DDR3暫存器的設計目的是為了協助降低伺服器叢集和資料中心的功耗與散熱成本。它採用一種新的低功耗架構，相較於標準電壓暫存器，當搭配低電壓電源供應器時，可減少近50%暫存器功耗。

Micron企業行銷總監Rahul Advani表示：「功耗是電腦產業的一個核心關鍵，Micron很高興見到IDT積極研發，降低DDR3暫存器的功耗和電壓。我們積極投入降低資料中心伺服器記憶體的功耗，並已於近期拓展我們Aspen Memory™產品線，來包括以DDR3為基礎的模組技術。我們DDR3模組的記憶體設計，提供業界領先的能源效率，並採用1.35伏特電壓作業，比標準1.5伏特DDR3記憶體模組節省21%功耗。」

IDT 的SSTE32882HL元件符合美國電子工程設計發展聯合協會（Joint Electron Device Engineering Council; JEDEC）標準，並整合了暫存器與鎖相迴路(PLL)的設計，以支援DDR3暫存雙線記憶體模組(RDIMM)。該元件支援業界最廣範圍的作業時脈速率，從DDR3-800到DDR3-1600，涵蓋標準和低電壓作業條件，並且超越時脈動態偏移、時脈抖動與整備時間（setup time）的核心需求。再者，該元件包含擴充的內建測試和除錯能力，讓設計、測試與除錯新RDIMM模組變得容易許多。

IDT副總裁暨記憶體介面部門總經理Sean Fan表示：「IDT低電壓DDR3暫存器為客戶提供的降低功耗，對於一個典型的伺服器叢集而言，將能夠在其生命周期內實現數千美元的節省效益。此外，IDT協助客戶實現此一難以置信的節能目標，而不會犧牲效能或作業速度。」

供貨時程
IDT SSTE32882HL暫存器目前供應樣本給特定客戶。該元件採176-ball BGA封裝並且遵循電子電機設備有害物質限用指令(RoHS)。詳細資訊請參觀www.idt.com/go/DDR3。

關於IDT
以持續提昇數位媒體使用經驗為目標，IDT結合其在基礎半導體產品的歷史傳承再加上創新能力，開發並供應低功耗的混合訊號關鍵半導體解決方案，以協助客戶解決問題。IDT總公司位於加州聖荷西，其設計、製造與銷售據點遍及全球。IDT在NASDAQ全球精選市場(Global Select Market®)掛牌交易，代號IDTI。詳細公司資訊請參觀www.IDT.com。