美國國家半導體推出最低雜訊、超高速放大器
二零一零年五月十八日 — 台灣訊 — 美國國家半導體公司（National Semiconductor Corporation）（美國紐 約證券交易所上市代碼：NSM）宣佈推出一款業界最低雜訊的全新超高速運算放大器。 這款型號為LMH6629的PowerWise® 晶片若以10倍 增益及900MHz -3dB頻寬作業，其雜訊低至只有 0.69nV/sqrt Hz。 這款晶片其他的優點包括較寬廣的頻寬、較大的增益及訊號放大極為準確，最適用於必須將雜訊減至最少的系統，例如各式的16位 元系統，其中包括通訊系統、測試和量測設備、醫療顯像系統、工業設備及雷射測速系統。
LMH6629晶片的輸入電流雜訊也極低（只有2.6pA/sqrt Hz），如果輸入頻率為 1MHz，第2及第3諧波失真分 別只有 -90dBc 及 -94dBc。 此款運算放大器不但具備低輸入雜訊、低失真及高速的優點，而且直流電的誤差極低，在攝氏25度時的最高輸入偏移電壓 只有780uV，輸入偏移電壓漂移溫度係數(TCVos)則低至每度(攝 氏)只有+/-0.45uV，因此可以確保交流及直流耦合系統的訊號準確無誤。
LMH6629晶片的輸入共模電壓範圍比接地電壓還低，而輸出電壓擺幅不超過 +/-0.8V，線性輸出電流則高達 +/-250mA 以上。 這款PowerWise運算放大器適用於 2.7V至5.5V之間的供 電電壓範圍，耗電只有15.5mA。 由於此款晶片設有內部補償這個選項，因此系統無需加設外部補償電路，用戶也無需為此而花費額外的設計時間，這兩方面都比其 他放大器更具優勢。 系統設計工程師只要將最低增益設定接腳拉上或拉下，便可為LMH6629晶片的最低增益設定為 4 或 10。
LMH6629晶片採用美國國家半導體的全新CBiCMOS8矽鍺(SiGe)互 補雙極CMOS製程技術製造。CBiCMOS8是目前業界最先進的類比製程技術，其獨特 之處是將矽鍺NPN及PNP電晶體整合在單晶片之內，另外還整合了低功率CMOS電 晶體，使這款晶片無論在速度、線性特性、電路密度、功率及雜訊等方面都有非常卓越的表現，能滿足高速類比系統的嚴格要求。
價格及供貨情況
LMH6629晶片採用8接腳LLP® 封裝，適用於更大的工業應用溫度範圍(攝氏-40度至125度)， 現已開始量產供貨，採購以1,000顆為單位，每顆售價1.88美元。 如欲查詢進一步的資料，或訂購樣品及測試電路板，可瀏覽 http://www.national.com/pf/LM/LMH6629.html 網頁。
美國國家半導體的線上圖片資料室備有這款產品的高解析度相片以供下載，該圖片資料室的 網址為 http://www.national.com/analog/pressroom/amplifiers。
美國國家半導體公司簡介
美國國家半導體是一家居領導地位的類比電源管理技術開發商，所生產的電源管理產品種類 繁多，其中包括容易使用的積體電路、可提高系統能源效率的PowerWise產品以及可提高太陽能系統發 電量的SolarMagic產品。2009年為該公司創辦五十 周年。 美國國家半導體總公司設於美國加州聖塔克拉拉 (Santa Clara)， 2009 年會計年 度的營業額達 14.6億美元。 有關美國國家半導體公司的其他資料，可瀏覽www.national.com網頁。