IDT推出高隔離性與線性射頻開關

【2014年11月12日，台北訊】供應關鍵混合訊號半導體方案的領先類比與數位公司IDT^® (納斯達克股票代碼：IDTI)日前推出了F2912開關，此開關為半導體公司首次規劃的新射頻（RF）開關產品系列。F2912具有領先業界的低插入損耗、高隔離度及線性等整合特色，是在進行微波回載及前載、檢測設備、有線電視頭端，WiMAX射頻、無線系統與一般開關應用基地台（2G、3G與4G）等工作時的最佳選擇。

EJL無線研究公司總經理Earl Lum 談到：“預計在2018年之前，LTE技術到將佔有90%的射頻基站系統的出貨量”，“LTE技術不斷演進的結果將需求高線性、高性能的晶片，促使本公司穩立優越地位，並藉由此獨特產品及射頻技術能力為本公司定出產品區隔。”

F2912支援多元應用的最新系統要求與性能：

• 在300 KHz到8G Hz頻率範圍，在不犧牲整體頻率範圍之性能下實現寬廣的頻寬。
•  在不影響絕緣性能下，0.4dB的低IL具有低路徑損耗。
• 2 GHz 60 dB的高隔離度，能減少相鄰RF埠路徑之間的信號洩漏。
• 高OIP3的+64 dBm以減少互調失真。
• 在30 dBm為 P1dB時，具備1W的壓縮點，確保各項應用穩定操作
• 3.3 V和1.8 V控制邏輯與普通FPGA和微控制器的邏輯水準保持一致。
• 在惡劣散熱環境下， -55至125℃的操作溫度範圍能夠維持高可靠度。

IDT無線產品定位與行銷高級主管克里斯斯蒂芬說明：“F2912代表IDT已進入RF開關市場，將本公司其他領先的射頻產品做了完美整合，為工程師們提供一條可靠、高效能的開發管道” ， “藉由一系列高性能指標，F2912無疑是多工無線及其他射頻應用的最佳選擇。