美國國家半導體推出訊號調節能力加倍而功耗減半的全新 10 Gbps 中繼器

二零一一年一月二十八日 — 臺灣訊 — 美國國家半導體公司(National Semiconductor Corp.)(美國紐約證券交易所上市代碼:NSM)宣佈推出三款多通道 PowerWise® 10Gbps中繼器,其特點是具有業界產品中最高的36dB等化增益,每通道僅55mW的功耗也比目前市場上其他解決方案少一半,還可延長一倍的電纜長度,以24-AWG 電纜為例,傳送距離可長達20公尺。 預計這幾款中繼器的推出可進一步鞏固美國國家半導體在先進類比技術方面的領導地位。

美國國家半導體10Gbps中繼器系列晶片採用該公司的第三代矽鍺(SiGe) BiCMOS製程技術製造,具有「接收等化」和「發送數位式波形還原」兩種功能,可為資料中心及高效能通訊系統提供通道損耗補償,也就是說這系列中繼器晶片可以延長電纜的傳送距離而且將資料頻寬提高至10.3125Gbps,因此適用於符合10 GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI 和 Infiniband 等串列傳輸協定的高速主動式電纜組件及FR-4 背板。 此外,這幾款中繼器也可支援儲存系統的SAS/SATA外頻(Out-of-Band, OOB)訊號傳輸功能。

由於網際網路湧現大量多媒體內容,加上雲端運算及多核心虛擬化伺服器的出現,因此新一代的資料中心運算系統對介面頻寬的要求越趨嚴格。 但互連線路的長度仍維持不變,使功耗及訊號完整性成為另一個有待解決的問題。 主動式銅線電纜組件及背板電路板只要內建美國國家半導體的訊號調節器就可確保訊號完整無缺、減少系統功耗及讓用戶可以採用成本低於光纖電纜的銅導線。

採用美國國家半導體10Gbps中繼器的主動式銅導線互連方案的功耗只有市場上其他線路互連方案的四分之一,而電纜傳送距離則可延長兩倍。 美國國家半導體此系列中繼器能夠有這樣的優勢是因為採用全新的矽鍺(SiGe) BiCMOS製程製造,使其中的電晶體可以支援較高的頻寬、產生較少雜訊及大幅減少訊號抖動和功耗。4通道的DS100BR410晶片適用於高密度的連接器如QSFP和CXP,而DS100BR111晶片則適用於單通道的SFP+連接器。

美國國家半導體10 Gbps 中繼器系列產品

DS100BR410 晶片內含四條單向通道,每通道功耗只有55mW(典型值)而且只需一個2.5V的電源供應。 此外,由於這款晶片可以透過接收等化功能將訊號增強至多到36dB,而發送數位式波形還原功能則可將訊號減弱9dB,使系統可為每一個通道的損耗提供補償,因此這款晶片可以延長電纜的傳送距離,讓工程師為系統選擇電纜時有更大的靈活性。

DS100BR210 晶片內含兩條單向通道,而 DS100BR111 晶片則有一條雙向通路(其一為發送通道而另一條是接收通道), 每通道功耗都只有65mW(典型值)。這兩款晶片都可採用3.3V 及 2.5V的供電,而且同樣具備增益高達至多36dB的接收等化功能和-12dB 的發送數位式波形還原功能。

上述三款中繼器都可關閉閒置不用的通道,並可透過接腳或I2C相容的SMBus介面設定訊號調節值。

如欲進一步查詢有關美國國家半導體10Gbps中繼器產品系列的資料,可瀏覽網頁 http://www.national.com/datacom 。 美國國家半導體有一段主動式銅導線作業情況的展示影片,如欲觀看可瀏覽網頁 http://tinyurl.com/ActiveCopper

價格及供貨情況

DS100BR410晶片採用48接腳的無引線LLP® 封裝,大小只有7mm x 7mm,採購以 1,000 顆為單位,單顆售價為13美元, 現已開始量產供貨。DS100BR210及DS100BR111兩款晶片都採用24接腳的LLP封裝,採購都以1,000顆為單位,單顆售價同為6.95美元,而且同樣於2011年3月初開始有樣品供應。

如欲查詢進一步的資料或訂購相關樣品及測試電路板,可分別瀏覽以下網頁: http://www.national.com/pf/DS/DS100BR410.htmlhttp://www.national.com/pf/DS/DS100BR210.htmlhttp://www.national.com/pf/DS/DS100BR111.html

美國國家半導體的線上圖片資料室備有這幾款產品的高解析度相片以供下載,該圖片資料室的網址為 http://www.national.com/analog/pressroom/interface

美國國家半導體公司簡介

美國國家半導體是一家居領導地位的電源管理技術開發商,一直致力為市場提供各種簡易使用的類比積體電路,而且擁有世界級的供應鏈管理技術及經驗,備受業界推崇。 該公司的高效能類比產品可以提高系統的能源效率,因此極受客戶歡迎。美國國家半導體的總公司設於美國加州聖塔克拉拉(Santa Clara),2010 年會計年度的營業額達 14.2 億美元。 有關美國國家半導體公司的其他資料,可瀏覽網頁 www.national.com