IR全新DirectFET系列為同步降壓轉換器設計帶來更高效能和電流密度
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記簿型電腦、伺服器CPU電源、圖像，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新元件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，較標準SO-8元件的佔位面積少40%，更採用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (Rds(on)) 非常低，也同時把閘電荷 (Qg) 和閘汲極電荷 (Qgd) 減至最少，並以極低的封裝電感來減少傳導與開關損耗。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「憑著我們作為業界標準的功率MOSFET矽元件和DirectFET封裝，新的30V元件擁有非常低的Rds(on)、Qg和Qgd，為全部負載提高效率與溫度效能。這讓操作可達致每相位25A，同時又可以維持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積。」
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M的特點是擁有極低的Rds(on)，使它們十分適合高電流同步MOSFET。這些新元件與上一代元件採用通用的MT和MX佔位面積，所以當有應用須要提高電流水平或改善溫度效能時，能輕易由舊元件邁向使用新元件。
IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M的極低Qg和Qgd，則讓這些元件非常適用於控制MOSFET。它們並備有SQ、ST和MP佔位面積選擇，使設計可以更具靈活性。
產品基本規格如下：
| 元件編號 |
BVdss(V) |
10V下典型Rds(on) (mΩ) |
4.5V下典型Rds(on) (mΩ) |
典型Qg (nC) |
典型Qgd(nC) |
DirectFET 外型代碼 |
| IRF6721S | 30 | 5.1 | 8.5 | 11 | 3.7 | SQ |
| IRF6722S | 30 | 4.7 | 8.0 | 11 | 4.1 | ST |
| IRF6722M | 30 | 4.7 | 8.0 | 11 | 4.3 | MP |
| IRF6724M | 30 | 1.9 | 2.7 | 33 | 10 | MX |
| IRF6725M | 30 | 1.7 | 2.4 | 36 | 11 | MX |
| IRF6726M | 30 | 1.3 | 1.9 | 51 | 16 | MT |
| IRF 6727M | 30 | 1.2 | 1.8 | 49 | 16 | MX |
產品詳細資料可瀏覽http://www.irf.com/whats-new/nr080522.html。
新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。