GLOBALFOUNDRIES推出頂尖 22FDX® FD-SOI 平台的嵌入式 MRAM

【2017年9月27日，臺北訊】 GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導體，GF) 今日宣布推出22奈米 FD-SOI製程 (22FDX®)之可擴充嵌入磁阻式非揮發式記憶體 (eMRAM) 技術。格羅方德的 22FDX eMRAM 做為業界最先進的嵌入式記憶體解決方案，提供高效能和極致可靠性，適用於消費者產品及工業控制器、資料中心、物聯網 (IoT) 和汽車等廣泛應用。

如近日所展示的，格羅方德 22FDX eMRAM 透過 260°C 的焊接回流，具備保存資料的能力，同時保有領先業界的 eMRAM 位元格大小，能夠在 125°C 環境下保存資料超過 10 年，使此技術可應用於一般用途、工業用途以及汽車微控制器單元 (MCU)。FDX™ 以及 eMRAM 的電源效率，加上提供射頻連線功能以及 毫米波 IP，使 22FDX 成為電池供電之物聯網和自駕車雷達系統單晶片 (SoC) 等應用的最佳平台。

GF嵌入式記憶體部門副總裁 Dave Eggleston 表示：「由於越來越多應用需要高效能非揮發式記憶體解決方案，客戶都在試圖擴充產品能力。我們非常期待能夠推出 22FDX eMRAM，這是一款具有高度可靠性的嵌入式記憶體技術，不但提升了效能及電源效率，更具備多樣性，能讓系統設計人員在 MCU 和 SoC 中打造更強大的功能。」

GF eMRAM 的高可靠性和優異擴充性，使其成為眾多市場進階處理節點中具成本效益的選項。此外，GF eMRAM 的多樣性擁有快速寫入效能和高耐用性，因此適合做為代碼儲存和工作記憶體來使用。GF 22FDX eMRAM 的可用性，是與 Everspin合作多年的珍貴成果。雙方的合作關係迄今已向業界展示 1Gb DDR MRAM 晶片樣品，並聯手進行 256Mb DDR MRAM 晶片產品化，由 Everspin 獨家供應。

現已提供 22FDX eMRAM 和射頻解決方案的流程設計套件，多計畫晶圓 (MPW) 上的 22FDX eMRAM 預計將於 2018 年第一季可提供客戶原型，風險生產則預計將在 2018 年底進行。GF與設計合作夥伴現已開始提供客製化 eMRAM 設計服務，其中包括 2Mb 到 32Mb 的 eMRAM 巨集，搭載簡易 design-in eFlash 和 SRAM 介面選項。