Diodes 全新MOSFET閘極驅動器提升轉換效率

台灣 — 1月8日 — Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V輕巧閘極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，能用在控制板上和嵌入式電源以及馬達驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (採用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (採用SOT363封裝) 可縮短MOSFET的開關時間，有助於盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率。

新驅動器作為低功率控制IC的高增益緩衝級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅動電流，從而使功率MOSFET電容負載能理想地快速充放電。驅動器具有極速開關，而且提供少於5ns的傳輸延遲時間，以及少於20ns的升降時間。

兩款ZXGD3009系列的產品透過分開的source與sink輸出，藉此獨立控制MOSFET的開關時間，使MOSFET的操作模式更能滿足應用的需求。元件能以正負電壓驅動閘極，確保功率MOSFET硬關閉的可靠性 。

新閘極驅動器備有堅固的射極跟隨器設計，以防止閂鎖(latch-up)和貫通(shoot-through)效應，並能承受高達2A的峰值電流。兩款產品提供的40V寬廣操作電壓範圍，加上功率MOSFET閘極驅動，也使它們能處理遠超出功率MOSFET閘極驅動常見的12V電壓尖峰。

欲了解產品詳細資料，請瀏覽Diodes網站www.diodes.com。