意法半導體（ST）推出新抗輻射電壓基準晶片，在各種工作條件下實現穩定可靠的性能

【台北訊，2014年10月23日】意法半導體積極開發與航太應用相關的抗輻射產品組合，推出兩款並聯式電壓基準（shunt Voltage References）晶片。RHF1009A是一款可在2.5至5.5V的範圍內調整電壓的電壓基準晶片；而RHF100則是一款維持1.2V固定電壓的電壓基準晶片。這兩款電壓基準晶片特別為航太應用領域所設計，具有可抵擋強烈太空輻射的高耐受度，其針腳與市面上工業規格的裝置相容。兩款新產品均已通過了國防後勤局（DLA）的QML-V認證，並因其穩定優秀的性能，正式進入歐洲元件優先選用目錄（European Preferred Parts List ，EPPL），可供歐洲航太硬體及相關設備的製造商選購。

兩款元件皆採用意法半導體的250奈米BiCMOS 製造技術，這項技術經多年量產消費性應用晶片與要求更為嚴格的航太、汽車、醫療設備IC以及其它抗輻射產品（如類比數位轉換器）的驗證。

這兩款元件具有多項優異性能，包括僅僅5ppm（典型值）的溫度係數、經由雷射校對可達+/- 0.15%的精確度以及元件之間卓越的溫度曲線匹配性；而寬達40µA至12mA的負極電流幅度，可確保在維持靈活性的同時提供高精準度和穩定性。

除了優異的電氣性能之外，兩款新產品還擁有同等級中最佳的電離總劑量（Total Ionizing Dose，TID）和單一事件效應（Single Event Effect，SEE）的抗輻射性能，無ELDRS[1]的效能高達300krad（當劑量率至高點時，晶片的主要參數仍可保持穩定），完全不受單一事件閉鎖效應（Latch-up）的影響（在120 MeV.cm²/mg / 125°C下仍不見單一事件閉鎖效應），發生單一事件瞬態效應的機率極低（SET Cross section < 3.10^-4）。輻射效應持續的時間很短，對振幅的影響也很低。

新產品在歐洲設計、並在取得認證後開始製造，擁有豐富的特性數據、全套的整體模型（Pspice、Eldo、ADS） 以及展示板。

詳情請查詢: www.st.com/radhard-vref-nb

關於意法半導體

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意法半導體2013年淨收入80.8億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。