意法半導體（ST）推出創新的高壓電晶體技術 協助開發更可靠的高能效系統

台北訊，2009年5月12日 — 全球功率半導體技術領導供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出全新功率MOSFET系列產品，結合更高的擊穿電壓技術、更強的耐用性，以及更低的電能耗損率，相當適合液晶顯示器、電視及節能燈具整流器等需要高效能電源的應用。

STx7N95K3系列的推出，為功率MOSFET市場切割出全新的950V擊穿電壓標準產品區間。該區間的產品特別適用於那些將電壓提升至400V或更高，以儘可能降低能源耗損的系統。與其他品牌的900V產品相比，意法半導體的950V功率MOSFET電晶體擁有更大的安全工作面積，也因此具備更高的可靠度。同時，設計人員還可用單一950V MOSFET取代雙電晶體電路，從而簡化電路設計、縮減尺寸，並減少使用的元件數量。

此外，意法半導體STx7N95K3系列亦較其他品牌擁有更高的雪崩電流。該項優勢確保產品能夠承受高於擊穿電壓的電湧，以防止過量電湧燒毀元件。最新的900V產品擁有9A的雪崩電流，而市面上功能最接近的產品僅有1A的雪崩電流。

除了耐高壓之外，STx7N95K3系列還能將傳導損耗降至最低程度。新產品的傳導電阻RDS（ON）能降低至1.35歐姆（Ohm）以下，與上一代MOSFET產品相比，等於降低了30%左右的單位面積傳導電阻RDS（ON），協助設計人員進一步提高功率密度與能效。

同時，透過達成低閘電荷量（QG）和低固有電容，新推出的MOSFET系列產品能提供優異的開關性能，讓設計人員能使用更高的開關頻率，並進一步採用更小的元件，以提升效能及功率密度。

透過意法半導體最新一代的SuperMESH3™技術，STx7N95K3 MOSFET系列產品能達到上述諸多優異性能。此外，新產品採用業界標準的封裝技術，包括STF7N95K3採用TO-220FP封裝、STP7N95K3採用TO-220封裝、STW7N95K3採用TO-247封裝。

即將推出的STx7N95K3系列產品包括950V的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3，以及1200V的BVDSS STP6N120K3。緊接著這些產品之後，意法半導體將在2009年陸續推出包括850V、950V、1050V及1200V的系列產品。

STx7N95K3系列已開始投產，如欲獲得更多相關資訊，歡迎瀏覽下列產品網站：www.st.com/pmos。

關於意法半導體

意法半導體（STMicroelectronics）為全球領先的半導體設計、製造及銷售供應商，為各種電子相關產品領域提供完整的解決方案。意法半導體卓越地結合了晶片與系統開發的專業技術能力、製造優勢、智財組合（IP portfolio）及策略夥伴，在系統晶片（SoC）技術上佔有領先的地位，產品更在現今整合市場中，扮演著關鍵性推手的角色。意法半導體已在紐約證券交易所 （New York Stock Exchange）、巴黎証券交易所（Euronext Paris），以及米蘭證券交易所（Milan Stock Exchange）上市。2008年，意法半導體的淨收入為98.4億美元。更多相關公司資訊，請查詢STMicroelectronics公司網站：www.st.com。